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In this contribution are shown organic crystals obtained by the sublimation method and the latest experimental results obtained with the Anthracene monocrystals: A) Luminescence at room temperature. The Anthracene crystals were subjected to frontal UV-Vis irradiance, obtaining the frontal transmittance and the edge Fluorescence (wave guide emission) at room temperature. As a result of this measurements we identified a “quasigap” of 3.11eV (398 nm) and emission bands in 3.08, 2.92, 2.79 and 2.61 eV. B) Photovoltaic conversion. We constructed photovoltaic junctions Anthracene / Tin oxide (Ant / TO). We determined experimentally the quantum spectral efficiency of the system and the corresponding theoretical band energy diagram. 

En este trabajo reportamos mediciones de la respuesta óptica de silicio amorfo (a-Si:H), bajo el umbral del Gap óptico, empleando el método de espectroscopia de fotocorriente, Las películas de a-Si:H fueron elaborados por medio de un sistema plasmático DC no convencional. Las medidas sugieren que la densidad de estados de este material no es muy diferente del silicio amorfo convencional. Se determinan las posiciones de las correspondientes transiciones electrónicas fotovoltaicas, existiendo una buena correspondencia con niveles internos conocidos del material.

Presentamos una descripción elemental de los factores físicos presentado desde un punto de vista, nuestro mundo está rodeado de un medio: La red Etérea.

En esta contribución se presenta la técnica de elaboración de cristales orgánicos por el método de sublimación aplicado al caso particular de Antraceno. Se presentan asimismo los últimos resultados experimentales obtenidos en nuestro Laboratorio con los monocristales de Antraceno: A) Luminiscencia a temperatura ambiente. Los cristales fueron sometidos a irradiancia UV-Vis frontal, obteniéndose la transmitancia frontal y la fluorescencia de canto (wave guide emisión). Como resultado de estas medidas se identifica un cuasigap de 3.11 eV (398 nm) y bandas de emisión a niveles vibronicos en 3.08, 2.92, 2.79 y 2.61 eV. B) Conversión Fotovoltaica. Se construyó la unión fotovoltaica Antraceno / oxido de estaño (Ant / TO), determinándose experimentalmente la eficiencia espectral quántica del sistema, así como el modelo teórico energético correspondiente.

In this contribution are shown organic crystals obtained by the sublimation method and the latest experimental results obtained with the Anthracene monocrystals: A) Luminescence at room temperature. The Anthracene crystals were subjected to frontal UV-Vis irradiance, obtaining the frontal transmittance and the edge Fluorescence (wave guide emission) at room temperature. As a result of this measurements we identified a “quasigap” of 3.11eV (398 nm) and emission bands in 3.08, 2.92, 2.79 and 2.61 eV. B) Photovoltaic conversion. We constructed photovoltaic junctions Anthracene / Tin oxide (Ant / TO). We determined experimentally the quantum spectral efficiency of the system and the corresponding theoretical band energy diagram. 

This project involves the elaboration of diamond thin films from a plasmatic method, developed at the Laboratory of Optics and Semiconductors. The corresponding optical and electrical characterization of the elaborated materials.

Using photocurrent spectroscopy, we report measurements of the photo responde below the optical gap in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). The a-Si:H films were grown in a non conventional DC plasma assited discharge chamber. The measurements suggest that the density of states of this material is not very different than conventional intrinsic a-Si:H (device-quality) and not so extended as usually taken. The positions of the corresponding photovoltaic transition energies are determined and agree very well with known data obtained by other methods.

We present a elementary description of physical facts arising from the point of view, our world is surrounded from a medium: The Aether net.

In this work we present the results of the photoacustical (PAS) characterization of thin film amorphous silicon (a-Si:H). The optical parameters (n,k) are obtained for semiconductive films, obtained by a reactive “DC glow discharge” process by spectral Transmission and absortion PAS measurements in a great spectral range and good agreement with previous evaluations .We determine finally the quasi gap energy (Tauc) and the band model of the semiconductor of a-Si:H.

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In this work, we present our first results in the elaboration and characterization of thin film amorphous silicon (a-Si: H). The films were obtained by an original reactiv “DC glow discharge” process, which, compared to other results obtained with the same equipment, show now very Good optical quality. This goal allows us the measurement of the optical parameters (n, k) of our probes in a great spectral range. At this report, we show also some complementary results related to the semiconductor behaviour as the electrical conductivity and seebeck effect.

In this work, we present results of spectral photocurrent measurements in the quantitative diagnostic of semiconductors, in the specific case of cadmium sulfide (CdS) thin films. We present three measurement modalities. The results are each other complementary and confirms, thatthe most relevant energy levels in CdS, from the photoelectric point of view, correspond to the values: 2,0; 2,26; 2,38; 2,47 and 2,60 eV

En este trabajo se presenta el resultado de la elaboración y caracterización de películas finas de Silicio amorfo. las películas fueron obtenidas por el Método de Descarga plasmática reactivo y a diferencia de otros trabajos realizados anteriormente por el mismo método, muestran muy buena calidad óptica, lo que ha permitido derivar los parámetros ópticos del material (índices de refracción y coeficientes de absorción), en un gran rango espectral. Se complementan los resultados con la determinación de algunas propiedades eléctricas. (Mediciones de conductividad y efecto Seebeck).

En este trabajo se presenta el resultado de la aplicación de la técnica de fotocorriente espectral en el análisis cuantitativo de semiconductores, en el caso específico de películas de sulfuro de cadmio (CdS). Se presentan tres modalidades de medición, cuyos resultados son en sí complementarios y confirman, que los niveles de energía más relevantes en CdS, desde el punto de vista fotoeléctrico, corresponden a los valores: 2,0; 2,26; 2,38; 2,47 y 2,60 eV

In this work we present the results of the photoacustical (PAS) characterization of thin film amorphous silicon (a-Si:H). The optical parameters (n,k) are obtained for semiconductive films, obtained by a reactive “DC glow discharge” process by spectral Transmission and absortion PAS measurements in a great spectral range and good agreement with previous evaluations .We determine finally the quasi gap energy (Tauc) and the band model of the semiconductor of a-Si:H.

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