Espectroscopia de fotocorriente aplicado a celdas solares de película delgada elaboradas en base a Silicio amorfo hidrogenado (A - Si:H)

Descripción del Articulo

En este trabajo reportamos mediciones de la respuesta óptica de silicio amorfo (a-Si:H), bajo el umbral del Gap óptico, empleando el método de espectroscopia de fotocorriente, Las películas de a-Si:H fueron elaborados por medio de un sistema plasmático DC no convencional. Las medidas sugieren que la...

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Detalles Bibliográficos
Autores: Valera Palacios, Aníbal, Valentin Siu, Marco
Formato: artículo
Fecha de Publicación:2005
Institución:Universidad Nacional de Ingeniería
Repositorio:UNI-Tesis
Lenguaje:inglés
OAI Identifier:oai:cybertesis.uni.edu.pe:20.500.14076/14090
Enlace del recurso:http://hdl.handle.net/20.500.14076/14090
https://doi.org/10.21754/tecnia.v15i2.419
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:Películas delgadas
Silicio amorfo
Celdas solares
Descripción
Sumario:En este trabajo reportamos mediciones de la respuesta óptica de silicio amorfo (a-Si:H), bajo el umbral del Gap óptico, empleando el método de espectroscopia de fotocorriente, Las películas de a-Si:H fueron elaborados por medio de un sistema plasmático DC no convencional. Las medidas sugieren que la densidad de estados de este material no es muy diferente del silicio amorfo convencional. Se determinan las posiciones de las correspondientes transiciones electrónicas fotovoltaicas, existiendo una buena correspondencia con niveles internos conocidos del material.
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