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Mostrando 1 - 20 Resultados de 256 Para Buscar '"pelicula delgada"', tiempo de consulta: 0.90s Limitar resultados
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tesis de grado
In this thesis work I´ve studied the influence of annealing temperature over to rugosity, transmitance and cristallite size of ZnO:Cu 3 % thin films. The ZnO:Cu 3% thin films was synthetisized over glass substrates by spray pyrolisys technique using zinc acetate dyhidrate[(32)2.22] and copper chloride dyhidrate[2.22] as precursor solutions mixed in ethanol. The diffraction patterns of ZnO:Cu 3% thin films both without annealing and annealed at 400, 450 and 500 ℃ indicates that all samples are polycrystalline with wurtzita hexagonal structure. The preferred plane of growth was (002), decreasing the intensity of its peak only in the sample annealed at 400 ℃. The crystallite size for the sample without annealing was 25.82 nm and for the samples annealed at 400, 450 and 500 ℃ of 18.78, 26.33 and 29.23 nm respectively. The images obtained by atomic force microscopy indicate that the av...
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artículo
Este proyecto considera la elaboración de películas delgadas de diamante a partir del método plasmático (Glow discharge inducido) desarrollado en el Laboratorio de Óptica y Semiconductores. La correspondiente caracterización óptica y eléctrica de los materiales elaborados.
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tesis de grado
En el presente trabajo se analizó y describió los diferentes mecanismos de electromigración en interconexiones de película delgada metálica, el estudio se restringió a un enfoque teórico. El flujo atómico de los diversos mecanismos de electromigración en interconexiones de película delgada metálica fue determinado, asimismo se desarrolló una relación entre el tiempo de vida útil de una interconexión metálica de película delgada y la densidad de flujo de electromigración. Se establece que el mecanismo dominante del fenómeno de electromigración es el de difusión debido a la disminución de la energía de activación a través de los límites de grano.
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artículo
Polycristalline Ti oxide this films were prepared by reactive DC magnetron sputtering of Ti in O2+Ar onto Indium Tin Oxide (ITO) coated glass. Rutile and anatase phase films were obtained by heating the substrate during the deposition. Incident photon-to-current efficiency (IPCE) was studied as a function of several sputtering prameters such as temperature of the substraate, film thickness, and O2/Ar. The IPCE increased as the crystallinity of Ti oxide was systematically varied from amorphous to a mixture of anatase and rutile, and it was also enhanced in films deposited at low O2/Ar ratios. The photoresponse was measured using a three-electrode set-up with an electrolyte consisting of an aqueous 0.1 M KI solution purged with nitrogen. Action spectra were scanned between 280 and 400 nm in wavelength. The photogenerate current was found to be highly dependent on the composition thickness,...
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artículo
Películas de óxido de Ti policristalino fueron depositadas empleando DC "sputtering" reactivo con magnetron de platos de Ti en una atmósfera de O2+Ar sobre láminas de vidrio pre-cubiertas con ITO (óxido de indio dopado con estaño). Las fases anatasa y rutilo se obtuvieron por calentamiento del sustrato durante el depósito de las películas la eficiencia en la conversión foton-incidente-corriente (denominado "IPCE" de la expresión inglesa Incident Photon-to-Current Eficiency) se estudió en función de diferentes parámetros de preparación, tales como la temperatura del sustrato, el espesor de la película y la relación de flujos O/A r. la fotorespuesta se midió usando un sistema de tres electrodos empleando un electrolito acuoso de O.1 M de KI, que fue purgado con nitrógeno. El espectro de la fotorespuesta se obtuvo en un rango de longitud de onda entre 280 y 400 nm. Se enco...
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tesis de grado
Las películas delgadas se vienen estudiando con más frecuencia a consecuencia que cada vez se obtienen mejores materiales que se utilizan en la fabricación de celdas solares, protectores de pantalla, sensores de alta resolución, celdas de energía y otros nuevos inventos que ayudan a preservar el medio ambiente. El transporte de electrones mediante los materiales ha sido siempre el desafío de la humanidad y las películas delgadas son una solución a este desafío, la conductividad es una propiedad intrínseca de cada material. La medida de la conductividad en materiales como la deposición de películas delgadas se puede hacer mediante la técnica de las cuatro puntas utilizando como fuente de alimentación un sistema de corriente directa que se coloca en los extremos de la muestra obteniéndose la medida de la conductividad que va a ser característica para cada material, este tip...
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tesis de grado
En este trabajo se implementó un Sistema de Crecimiento de Películas Delgadas por la Técnica de Pulverización Catódica (Sputtering) por corriente directa (DC). Usando este sistema y a partir de un blanco de In0.90Sn0.05Cr0.05, películas policristalinas de In2O3 dopados con Estaño (Sn) y Cromo (Cr), fueron crecidas sobre sustratos de vidrio a temperatura ambiente, con una presión de trabajo ~1.0x10-1mbar y a diferentes tiempos de 3h, 6h, 8h y de crecimiento 9 horas. Posteriormente, todas las películas fueron tratadas térmicamente a 650°C en ambiente de aire, por un periodo de 2 horas, observándose una mejora muy significativa de su cristalinidad. Se realizaron medidas de Difracción de Rayos X a todas las películas; todas ellas mostraron la formación de la matriz de In2O3; sin embargo, se pudo observar la presencia de la fase de Cr2O3 en las películas más gruesas (8 y 9 ho...
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tesis doctoral
En este trabajo se fabricaron películas delgadas de dióxido de titanio y de dióxido de titanio fluorado. La técnica empleada fue sputtering reactivo a partir de un cátodo de titanio y combinando diferentes proporciones de argón, oxígeno y freón (CF4) en la cámara. Las películas obtenidas se evaluaron desde el punto de vista electrocrómico, integrándolas como electrodo de trabajo en una celda electroquímica. Bajo condiciones de sputtering adecuadas, se obtuvieron propiedades ópticas y electroquímicas con alta reproducibilidad. Las propiedades físicas y químicas de estos materiales se caracterizaron par diferentes técnicas Las características ópticas por medio de las espectroscopias visible e infrarroja; las características electroquímicas, por medio de la potenciometría y la espectroscopia de impedancias. Para investigar la influencia de la estructura sobre las prop...
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tesis de maestría
El AlN:H es un material prometedor para la pasivación de superficie en celdas solares de silicio con el fin de mejorar su eficiencia de conversión de potencia. La pasivación superficial es la reducción de la tasa de recombinación de superficie de los portadores de carga foto-generados (electrones y agujeros). Con el fin de obtener una mejor comprensión de AlN:H como una capa de pasivación, es importante investigar previamente las propiedades estructurales y morfológicas de diferentes películas delgadas AlN:H. Esta tesis investiga la influencia del hidrógeno en las propiedades estructurales y morfológicas de las películas delgadas de nitruro de aluminio hidrogenado (AlN:H) de ~ 100 nm de espesor. Para lograr este objetivo, las muestras se produjeron por pulverización reactiva en c-Si de tipo p (CZ, 100, dopado con boro, 10 – 20 Ωcm) bajo tres condiciones diferentes de fluj...
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tesis de grado
En este trabajo, se presenta un estudio sistemático de la influencia del tratamiento térmico postdeposición sobre las propiedades estructurales, eléctricas y ópticas de películas delgadas de óxido de indio dopadas con estaño. Los tratamientos térmicos de recocido se llevaron a cabo en una atmósfera de argón y de aire. Estas películas fueron depositadas a través de la técnica de pulverización catódica de radio frecuencia sobre sustratos de sílice fundida con un target de ITO de alta densidad (90wt. % In2O3 y 10 wt %Sn02). El recocido en argón y en aire aumentan el tamaño de grano con el incremento de la temperatura. Tanto el recocido en argón como en aire disminuyeron la resistividad eléctrica hasta después de tratamientos térmicos a 400ºC. A más de 400ºC, el recocido en aire aumenta la resistividad mientras que el recocido en argón disminuye la resistividad del...
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tesis de maestría
El AlN:H es un material prometedor para la pasivación de superficie en celdas solares de silicio con el fin de mejorar su eficiencia de conversión de potencia. La pasivación superficial es la reducción de la tasa de recombinación de superficie de los portadores de carga foto-generados (electrones y agujeros). Con el fin de obtener una mejor comprensión de AlN:H como una capa de pasivación, es importante investigar previamente las propiedades estructurales y morfológicas de diferentes películas delgadas AlN:H. Esta tesis investiga la influencia del hidrógeno en las propiedades estructurales y morfológicas de las películas delgadas de nitruro de aluminio hidrogenado (AlN:H) de ~ 100 nm de espesor. Para lograr este objetivo, las muestras se produjeron por pulverización reactiva en c-Si de tipo p (CZ, 100, dopado con boro, 10 – 20 Ωcm) bajo tres condiciones diferentes de fluj...
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tesis de maestría
El AlN:H es un material prometedor para la pasivación de superficie en celdas solares de silicio con el fin de mejorar su eficiencia de conversión de potencia. La pasivación superficial es la reducción de la tasa de recombinación de superficie de los portadores de carga foto-generados (electrones y agujeros). Con el fin de obtener una mejor comprensión de AlN:H como una capa de pasivación, es importante investigar previamente las propiedades estructurales y morfológicas de diferentes películas delgadas AlN:H. Esta tesis investiga la influencia del hidrógeno en las propiedades estructurales y morfológicas de las películas delgadas de nitruro de aluminio hidrogenado (AlN:H) de ~ 100 nm de espesor. Para lograr este objetivo, las muestras se produjeron por pulverización reactiva en c-Si de tipo p (CZ, 100, dopado con boro, 10 – 20 Ωcm) bajo tres condiciones diferentes de fluj...
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tesis de grado
En este trabajo se estudia la cristalización y propiedades magnéticas así como también la oxidación de películas delgadas de níquel (50 nm) fabricados por evaporación térmica convencional, resultante del recocido en aire a 300, 325, 350, 400 y 700 ºC. La caracterización se realiza por difracción de rayos x, espectroscopia Raman, dispositivo superconductor de interferencia cuántica magnetometría, y microscopía electrónica de barrido. Estas técnicas confirman que la oxidación aumenta con la temperatura de recocido. La formación de películas granulares de coexistente Ni y NiO se confirma después de recocido a 400 ºC. Las mediciones magnéticas muestran ferromagnetismo y anti - ferromagnetismo coexistiendo, correspondiente a Ni y NiO. Los ciclos de histéresis magnética revelan un corrimiento en las muestras recocidas a 325, 350 y 400 ºC, debido a la competencia entre...
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tesis de grado
En este trabajo se estudian las propiedades estructurales y morfológicas de películas delgadas de plata de 60 nm de espesor, depositadas sobre sustrato de SiO2 y que han sido tratadas térmicamente a distintas temperaturas desde 250°C hasta 1000°C por 3 horas, usando un horno tubular de la empresa LENTON. Se ha encontrado que, al incrementar la temperatura de recocido, la película de plata se cristaliza en la dirección [111]; se determinó que la temperatura para una óptima cristalización en esta dirección está alrededor de 400°C, también se observó un aumento de la rugosidad superficial y la formación de islas. Sin embargo, entre las temperaturas de recocido de 800 a 900°C se observa un cambio en la orientación preferencial a la dirección [200]. Se discute este cambio de orientación mediante procesos de difusión. El estudio morfológico, realizado con la técnica de m...
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artículo
En este trabajo reportamos el uso de la espectroscopia de retrodispersión de Rutherford (RBS) para el análisis, búsqueda de contaminantes y medición del espesor de película delgadas de organo-lantánido [SmxEuy(TTA)3(TPPO)2] utilizadas como capas emisoras de luz en diodos orgánicos emisores de luz (OLEDs).También se hace un estudio de fotoluminiscencia de las películas de [SmxEuy(TTA)3(TPPO)2], y se encuentra que la emisión de luz de la mezcla se realiza independientemente por las moléculas [Sm(TTA)3(TPPO)2] y [Eu(TTA)3(TPPO)2], no observándose una transferencia intermolecular de energía entre dichas moléculas.
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artículo
Se construyó un magnetómetro de efecto Kerr superficial (MEKS) para medir las propiedades magnéticas de películas delgadas de Permalloy (Ni81Fe19) de 20 nm de espesor. Se encontró que el campo coercitivo de las muestras tiene valores entre 2-6 Oe. Las películas mostraron anisotropía uniaxial en el plano y se identificaron los ejes de fácil y difícil magnetización. Se midió el ángulo de Kerr para las configuraciones longitudinal y polar y la saturación magnética para diferentes ángulos de incidencia de haz de luz. Los resultados fueron comparados satisfactoriamente con los obtenidos con un Magnetómetro de Muestra Vibrante (MMV).
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tesis de maestría
Un sistema de medición de resistividad eléctrica de películas delgadas a bajas temperaturas fue implementado empleando un sistema criogénico de ciclo cerrado de helio, un sistema de control de temperatura y un sistema de medición de resistividad. A fin de verificar el sistema implementado, seis contactos de aluminio fueron depositados a lo largo de cada diagonal sobre una muestra cuadrada de silicio tipo p de bajo dopaje para medir su resistividad a diferentes temperaturas a partir de 66K. La magnitud del error de medición en función de la distancia de los contactos respecto a las esquinas de la muestra fue determinada por dos métodos. La discusión de la dependencia de la resistividad con la temperatura fue realizada con los resultados de menor error.
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tesis de maestría
Entre los varios métodos que existen para obtener los parámetros ópticos de películas delgadas, un grupo se centra en el uso de medidas espectrales de reflectancia y transmitancia óptica y otros en el uso de medidas de transmitancia óptica únicamente. En el presente trabajo se desarrolla un método para obtener las constantes ópticas de películas delgadas empleando un estimador global insesgado sin usar modelos de dispersión. Para ello son necesarias medidas adicionales con el fin de incrementar la redundancia. En este caso se mide transmitancia óptica con ángulo de incidencia oblicua variable empleando luz polarizada en películas delgadas de óxido de indio dopado con estaño y terbio. Para emplear la función error total necesitamos un modelo del sistema óptico el cual describe la transmitancia total con un ángulo de incidencia para una película delgada. Para esto se ap...