Photocurrent spectroscopy applied to thin film solar cells based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)

Descripción del Articulo

Using photocurrent spectroscopy, we report measurements of the photo responde below the optical gap in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). The a-Si:H films were grown in a non conventional DC plasma assited discharge chamber. The measurements suggest that the density of states of this material...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores: Valera Palacios, Aníbal, Valentin Siu, Marco
Formato: artículo
Fecha de Publicación:2005
Institución:Universidad Nacional de Ingeniería
Repositorio:Revistas - Universidad Nacional de Ingeniería
Lenguaje:español
OAI Identifier:oai:oai:revistas.uni.edu.pe:article/419
Enlace del recurso:https://revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/419
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:películas delgadas
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spelling Photocurrent spectroscopy applied to thin film solar cells based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)Espectroscopia de fotocorriente aplicada a células solares de película delgada a base de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H)Valera Palacios, AníbalValentin Siu, Marcopelículas delgadassilico amorfomediciones de fotocorrientecélulas solaresthin filmsamorphous siliconphotocurrent measurementssolar cellsUsing photocurrent spectroscopy, we report measurements of the photo responde below the optical gap in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). The a-Si:H films were grown in a non conventional DC plasma assited discharge chamber. The measurements suggest that the density of states of this material is not very different than conventional intrinsic a-Si:H (device-quality) and not so extended as usually taken. The positions of the corresponding photovoltaic transition energies are determined and agree very well with known data obtained by other methods.En este trabajo reportamos mediciones de la respuesta óptica de silicio amorfo (a-Si:H), bajo el umbral del Gap óptico, empleando el método de espectroscopia de fotocorriente. Las películas de a-Si:H fueron elaborados por medio de un sistema plasmático DC no convencional. Las medidas sugieren que la densidad de estados de este material no es muy diferente del silicio amorfo convencional. Se determinan las posiciones de las correspondientes transiciones electrónicas fotovoltaicas, existiendo una buena correspondencia con niveles internos conocidos del material.Universidad Nacional de Ingeniería2005-12-01info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionArtículo evaluado por paresapplication/pdfhttps://revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/41910.21754/tecnia.v15i2.419TECNIA; Vol. 15 No. 2 (2005); 5-11TECNIA; Vol. 15 Núm. 2 (2005); 5-112309-04130375-7765reponame:Revistas - Universidad Nacional de Ingenieríainstname:Universidad Nacional de Ingenieríainstacron:UNIspahttps://revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/419/332Derechos de autor 2005 TECNIAhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0info:eu-repo/semantics/openAccessoai:oai:revistas.uni.edu.pe:article/4192023-12-04T19:22:49Z
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