En la presente investigación se ha realizado un estudio teórico de la región de energía prohibida (brecha de energía) del silicio sólido con estructura cristalina de tipo diamante. La energía prohibida se ha determinado indirectamente a partir del cálculo de la estructura electrónica: las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) en el estado fundamental (T = OK) usando el método de los orbitales lineales muffin-tin (LMTO). De los resultados obtenidos, para la máxima transferencia de la carga electrónica hacia las regiones de menor ocupación en la red cristalina, de toda la carga que está más allá del radio de las esferas atómicas, se obtiene un excelente perfil de la estructura electrónica, que además esta desplazada hacia regiones de energía más profundas, con una energía total mínima de -16.85R y por celda unitaria. Para este valor de energía mínima, l...

El presente trabajo es un estudio teórico de la estructura electrónica del estado fundamental de la aleación cristalina de Aluminio-Arsenio. Se determinan las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) resolviendo la ecuación de Schródinger con el método de los orbitales LMTO, para lo cual se usó un potencial efectivo del solido cristalino formulado con la teoría del funcional de la densidad (DFT), que usa la aproximación LDA (Ceperley & Alder, 1980) para la energía de intercambio y de correlación. De los resultados obtenidos para la estructura electrónica (las bandas de energía y la densidad de estados), entre el máximo de la banda de valencia y el mínimo de la banda de conducción, justo en el punto F, se halló una brecha de energía prohibida de 0.214 Ry ó 2.91 eV que difiere en 6% del valor experimental de 3.09 eV reportado en la literatura (Vurgaftman, et al....

En el presente trabajo dc investigación se realiza un estudio de la caracterización estructural de una muestra dc YBa2Cu3O7. La muestra de este material se obtiene con el rnétodo de preparación dc reacción de estado sólido (RES) [7], material que después seré sometida a un tratamiento térmico en un homo de alta temperatura que alcanza los 975°C de temperatura. A continuación la muestra de YBazCu;O7 fue sometida a un proceso de caracterización escultural por medio de un análisis de difracción por rayos X que permitió identificar la fase principal del YBa2Cu3O7. E1 refinamiento por el método dc Rietveld del difractograma de rayos X de la muestra YBazCu3O7 se realizó utilizando el programa DBWS-9807a. Mediante este método se lograron obtener los parámetros de red 51 =3.8l2 A, b = 3.875 A y- c = 11.724 A y además haciendo uso del software CARINE v3.1 se determinó la corr...

El propósito del presente trabajo de investigación fiie la elaboración de un texto universitario de ejercicios resueltos que sirva de complemento a la formación que se brinda en el aula y como una orientación en el estudio y reforzamiento de las enseñanzas brindadas por el profesor, lo cual significará un valioso aporte para los estudiantes de ciencias e ingeniería y en particular para los alumnos de la Facultad de Ingeniería Química. La metodología utilizada para la elaboración del "Texto: Física Aplicada II (Ejercicios)", se sustenta en la revisión bibliografia y la experiencia del autor como profesores titular de las asignaturas de Física. La didáctica que el autor ha venido utilizando y brindando al los estudiantes durante muchos años ha sido mejorado a través del tiempo, incorporando cada vez temas actualizados sobre la materia, lo que redunda en el beneficio de lo...

En el presente trabajo se efectúa el estudio teórico de las propiedades electrónicas del estado fundamental del compuesto semiconductor de Indio-Fósforo. Se calcularon la estructura de las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) al resolver la ecuación de Schrödinger usando el método de los orbitales LMTO, en la que se usó un potencial efectivo de la red cristalina del sólido formulado con la teoría del funcional de la densidad (DFT), formalismo que usa la aproximación LDA (Ceperley & Alder, 1980) para la energía de intercambio y de correlación. De los resultados para las propiedades electrónicas: las bandas de energía y la densidad de estados con  = 0.0, se obtuvo una brecha de energía prohibida de 0.107 Ry ó 1.46 eV entre el valor máximo de la banda de valencia y el valor mínimo de la banda de conducción, justo en el punto . Brecha de energía prohib...

Conocer la estructura electrónica de los materiales y de las aleaciones sólidas de InAs es de mucha importancia en la física del estado sólido, pues tiene una profunda influencia en las posibles y diversas aplicaciones tecnológicas que se les puede dar sobre todo a las aleaciones semiconductoras. En general para determinar las propiedades electrónicas de los materiales sólidos cristalinos se pueden emplear técnicas experimentales de alto costo como fotoluminiscencia muy complejas y sofisticadas, pero también se puede obtener de forma teórica para lo cual se debe formular la ecuación de Schrödinger del sólido cristalino y ser resuelta con algún método o técnica de cálculo computacional, tal como el método de los orbitales lineales muffin-tin (Andersen et al., 1986), ó el método de la aproximación del gradiente generalizado para el potencial de intercambio y correlaci�...

El mercado de literatura científica en Lima carece de material bibliográfico de nivel universitario sobre experimentos de física I y es prácticamente nulo el material bibliográfico sobre experimentos de física I con uso del equipo Xplorer y sus sensores electrónicos. Sin embargo en instituciones dc enseñanza universitaria de gran prestigio en los Estados Unidos y en América Latina, por el contrario privilegian el uso de equipos y sensores electrónicos en aplicaciones experimentales, prácticas y experiencias de laboratorio, lo que permite a los estudiantes de ciencias e ingeniería conocer y manejar equipos electrónicos con tecnología actual en la solución de problemas reales y así cumplir con los propósitos de una adecuada Enseñanza y formación profesional. Durante los años que se viene desarrollando la asignatura de Física 1, se ha podido observar en la facultad de i...

En la presente investigación se ha realizado un estudio teórico de la estructura electrónica del compuesto binario de AIP sólido con estructura cristalina de tipo blenda de cinc. La energía prohibida se ha determinado indirectamente a partir del cálculo de la estructura electrónica: las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) para el estado fundamental (T = OK) usando el método de los orbitales En la presente investigación se ha realizado un estudio teórico de la estructura electrónica del compuesto binario de AIP sólido con estructura cristalina de tipo blenda de cinc. La energía prohibida se ha determinado indirectamente a partir del cálculo de la estructura electrónica: las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) para el estado fundamental (T = OK) usando el método de los orbitales lineales muffin-tin (LMTO). De los resultados obtenidos, para la má...

En este trabajo se presenta el cálculo de la estructura electrónica y de la energía total de la aleación antimoniuro de aluminio AlSb con una red cristalina tipo blenda de cinc llena de esferas atómica de tamaño diferente que preservan la densidad del material y la simetría en la red. Se efectuaron los cálculos de las bandas de energía y de la densidad de estados (DOS), para lo cual se resolvió la ecuación de Schrödinger de la red cristalina de AlSb con el método de los orbitales lineales muffins tin (LMTO) (Skriver, 1984). Se usó un potencial efectivo local formulado con base en la teoría del funcional de la densidad (DFT), formalismo que nos permitió usar la formulación de Ceperley-Alder (Ceperley & Alder, 1980) para la aproximación LDA de los términos de intercambio y de correlación del potencial efectivo. Una vez obtenido los autovalores de energía de la estructu...

Muestra un estudio teórico de la estructura electrónica y de la energía total del estado fundamental de Germanio (Ge) y de los compuestos binarios de Galio-Fósforo (GaP) y de Silicio-Carbón (SiC). Las bandas de energía y la densidad de estados se calcularon con el método LMTO [23] que resuelve la ecuación de Schrödinger de un electrón en el sólido usando un potencial efectivo formulado con la DFT [15] y aproximación LDA [17]. Potencial que contiene toda la información de la red cristalina y que además depende del parámetro que permite transferir a las zonas vacías de la red cristalina una pequeña parte de la carga electrónica que reside fuera de las esferas atómicas. La mejor estructura electrónica de los compuestos de GaP y SiC con su correspondiente energía total mínima fue calculada con la idea alternativa de una red cristalina llena de esferas atómicas de tama�...

Este trabajo se demuestra la posible transición de una fase semiconductora a ferromagnética en la aleación de hierro-arsénico FeAs con red cristalina tipo blenda de cinc. Se efectuó un estudio de la estructura electrónica y de la energía total de esta aleación FeAs para diferentes valores de la fracción pequeña de la carga electrónica de valencia fuera de su esfera atómica, residiendo en las esferas de las regiones vacías de la red cristalina. Para el 100% de toda la carga electrónica qR residiendo en las esferas vacías se obtuvo una estructura de bandas de energía con brecha de energía prohibida indirecta de 0.248Ry ó 3.378eV en la dirección - de alta simetría de la red. Estructura electrónica asociada a una fase semiconductora del FeAs con energía total de -17.57Ry. Mientras que para el 70% de la carga electrónica qR residiendo en las esferas vacías se obt...

El uso de materiales semiconductores como la aleación de arseniuro de indio se incrementa en nuevas aplicaciones, debido a sus propiedades electrónicas y su gran potencial como material optoelectrónico. En el presente estudio se calcularon los parámetros de estructura electrónica y la brecha de energía prohibida del arseniuro de indio con estructura cristalina blenda de cinc. Se usó el método de los orbitales lineales muffins tin LMTO con un potencial LDA que emplea la aproximación de intercambio y correlación de un gas de electrones homogéneo de spin polarizado, para resolver la ecuación de Schrödinger de la red cristalina del InAs. Las bandas de energía, la densidad de estados y la energía total se calcularon para seis casos diferentes de una pequeña fracción de la carga electrónica de valencia en las esferas vacías de la diagonal en la red. La estructura electrónic...