Estructura electrónica y transiciones de fase en aleación de aluminio - fósforo (AIP)

• Autor: Cabrera Arista,César
• Formato: informe técnico
• Fecha de Publicación: 2015
• Institución: Universidad Nacional del Callao
• Repositorio: UNAC-Institucional
• Lenguaje: español
• OAI Identifier: oai:repositorio.unac.edu.pe:20.500.12952/1011
• Enlace del recurso: https://hdl.handle.net/20.500.12952/1011
• Nivel de acceso: acceso abierto
• Materia: Crystalline solids; Bands of energy; Density of S tates; Sólidos cristalinos; Bandas de energía; Densidad de estados

En la presente investigación se ha realizado un estudio teórico de la estructura electrónica del compuesto binario de AIP sólido con estructura cristalina de tipo blenda de cinc. La energía prohibida se ha determinado indirectamente a partir del cálculo de la estructura electrónica: las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) para el estado fundamental (T = OK) usando el método de los orbitales En la presente investigación se ha realizado un estudio teórico de la estructura electrónica del compuesto binario de AIP sólido con estructura cristalina de tipo blenda de cinc. La energía prohibida se ha determinado indirectamente a partir del cálculo de la estructura electrónica: las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) para el estado fundamental (T = OK) usando el método de los orbitales lineales muffin-tin (LMTO). De los resultados obtenidos, para la máxima transferencia de la carga electrónica hacia las regiones de menor ocupación en la red cristalina, de toda la carga que está más allá del radio de las esferas atómicas, se obtiene un excelente perfil de la estructura electrónica, que además está desplazada hacia regiones de energía más profundas, con una energía total mínima de -19.138Ry por celda unitaria. Para este valor de energía mínima, la región de energía prohibida tiene una brecha de 0.188 Rydberg, que equivale a 2.56 eV, un valor cercano al gap experimental de 2.43 e V que existe en la literatura.