“Estructura electrónica y energía prohibida en aleación cristalina de Aluminio-Arsenio AIAS“

• Autor: Cabrera Arista, César
• Formato: informe técnico
• Fecha de Publicación: 2019
• Institución: Universidad Nacional del Callao
• Repositorio: UNAC-Institucional
• Lenguaje: español
• OAI Identifier: oai:repositorio.unac.edu.pe:20.500.12952/4427
• Enlace del recurso: https://hdl.handle.net/20.500.12952/4427
• Nivel de acceso: acceso abierto
• Materia: método de los orbitale; aleación cristalina de Aluminio-Arsenio

El presente trabajo es un estudio teórico de la estructura electrónica del estado fundamental de la aleación cristalina de Aluminio-Arsenio. Se determinan las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) resolviendo la ecuación de Schródinger con el método de los orbitales LMTO, para lo cual se usó un potencial efectivo del solido cristalino formulado con la teoría del funcional de la densidad (DFT), que usa la aproximación LDA (Ceperley & Alder, 1980) para la energía de intercambio y de correlación. De los resultados obtenidos para la estructura electrónica (las bandas de energía y la densidad de estados), entre el máximo de la banda de valencia y el mínimo de la banda de conducción, justo en el punto F, se halló una brecha de energía prohibida de 0.214 Ry ó 2.91 eV que difiere en 6% del valor experimental de 3.09 eV reportado en la literatura (Vurgaftman, et al., 2001). La energía total del sólido cristalino resultó ser mínima con un valor de -17.87 Ry y corresponde a la estructura electrónica calculada con y = 0.0 una transferencia del 100% de la pequeña carga electrónica fuera de las esferas atómicas a las esferas vacías de la red cristalina.