Distinguishing between True and Spurious Long Memory in the Volatility of Stock Market Returns in Latin America

• Autores: Pardo Figueroa, Renzo, Rodríguez, Gabriel
• Formato: documento de trabajo
• Fecha de Publicación: 2014
• Institución: Pontificia Universidad Católica del Perú
• Repositorio: PUCP-Institucional
• Lenguaje: español
• OAI Identifier: oai:repositorio.pucp.edu.pe:20.500.14657/47035
• Enlace del recurso: http://repositorio.pucp.edu.pe/index/handle/123456789/47035
• Nivel de acceso: acceso abierto
• Materia: Verdadera y falsa memoria larga; Integración fraccional; Estimador en el dominio de las frecuencias; Semiparamétrico; Cambio estructural; http://purl.org/pe-repo/ocde/ford#5.02.00

En este estudio, investigamos la dependencia de largo plazo o de larga memoria presente en la volatilidad de los rendimientos del mercado de valores de Perú, Brasil, México, Chile, Argentina, y el S&P500. En un primer momento se analiza el comportamiento de la ACF y la densidad espectral. Por otra parte, la volatilidad se modela por medio de procesos FIGARCH que añaden evidencia a lo observado visualmente. Para verificar la presencia de la verdadera larga memoria seguimos un enfoque de pruebas estadísticas. En este sentido, el estadístico W de Qu (2011), los estadísticos Wc, __ y Zt propuestos por Shimotsu (2006), y los estadísticos td(1=2; 1; 4=5; 1), y mean td de Perron y Qu (2010) son utilizados. También mostramos evidencia sobre el comportamiento del estimador de larga memoria b d para diferentes tamaños de las muestras incluidas en el procedimiento de estimación. La evidencia reportada gráficamente y a través de los estadísticos sugiere que el proceso de generación de la serie de la volatilidad es de memoria espuria, a excepción de Chile cuya evidencia de memoria espuria es débil. Por otra parte, los gráficos contienen información importante sobre el comportamiento de la memoria falsa. Los resultados de este estudio sugieren que, en realidad, la memoria larga que se encuentra generalmente en los estudios empíricos son de memoria falsa, lo que podría deberse a la presencia de cambios estructurales.