A METHOD OF MEASURING THERMAL STABILITY IN DELTA-DOPING
Descripción del Articulo
A new superlattice in semiconductors is discussed which allows to determine the geometrical stability and precision of delta-doping layers in respect to migration and diffusion effects, and even a technological evaluation of the production devíce. This structure acts as inner probe in doping superla...
| Autores: | , , |
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| Formato: | artículo |
| Fecha de Publicación: | 2005 |
| Institución: | Universidad Nacional Mayor de San Marcos |
| Repositorio: | Revistas - Universidad Nacional Mayor de San Marcos |
| Lenguaje: | español |
| OAI Identifier: | oai:revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe:article/8550 |
| Enlace del recurso: | https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/8550 |
| Nivel de acceso: | acceso abierto |
| Materia: | Superred dopamiento bidimensional luminiscencia pares donador-aceptor estabilidad térmica arreglo geométrico Superlattice planar doping luminescence donor-acceptor pair thermal stability geometrical arrangement. |
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A METHOD OF MEASURING THERMAL STABILITY IN DELTA-DOPINGA METHOD OF MEASURING THERMAL STABILITY IN DELTA-DOPINGZehe, AlfredTorres Tapia, EusebioRamírez, AraceliSuperreddopamiento bidimensionalluminiscenciapares donador-aceptorestabilidad térmicaarreglo geométricoSuperlatticeplanar dopingluminescencedonor-acceptor pairthermal stabilitygeometrical arrangement.A new superlattice in semiconductors is discussed which allows to determine the geometrical stability and precision of delta-doping layers in respect to migration and diffusion effects, and even a technological evaluation of the production devíce. This structure acts as inner probe in doping superlattices quite as the known case of enlarged wells in composition superlattices does. Donor - acceptor - pair luminescence radiation is used, which in its dependence on the pair separation distance reflects the geometrical arrangement of neighboring delta doped layers provided both donors and acceptors are present in each sheet.Se discute una superred novedosa, que permite la determinación de la estabilidad geométrica y precisión de capas delta-dopadas con respecto a efectos de difusión y migración, así como la evaluación tecnológica de la producción de dispositivos. Esta estructura nanométrica actúa como sonda interna en copamiento de superredes, semejante al caso conocido de los "pozos ensanchados" en superredes de composición. Se usa la luminiscencia entre pares donador-aceptor, la cual depende de la distancia de separación que refleja el arreglo geométrico de capas delta-dopadas vecinas, siempre que existan donadores y aceptores en las capas correspondientes.Universidad Nacional Mayor de San Marcos2005-12-30info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionapplication/pdfhttps://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/855010.15381/rif.v8i02.8550Revista de Investigación de Física; Vol. 8 Núm. 02 (2005); 19-25Revista de Investigación de Física; Vol. 8 No. 02 (2005); 19-251728-29771605-7724reponame:Revistas - Universidad Nacional Mayor de San Marcosinstname:Universidad Nacional Mayor de San Marcosinstacron:UNMSMspahttps://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/8550/7402Derechos de autor 2005 Alfred Zehe, Eusebio Torres Tapia, Araceli Ramírezhttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0info:eu-repo/semantics/openAccessoai:revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe:article/85502020-09-02T18:43:37Z |
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A new superlattice in semiconductors is discussed which allows to determine the geometrical stability and precision of delta-doping layers in respect to migration and diffusion effects, and even a technological evaluation of the production devíce. This structure acts as inner probe in doping superlattices quite as the known case of enlarged wells in composition superlattices does. Donor - acceptor - pair luminescence radiation is used, which in its dependence on the pair separation distance reflects the geometrical arrangement of neighboring delta doped layers provided both donors and acceptors are present in each sheet. |
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