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An improved 1D diode model for the accurate modeling of parasitics in silicon modulators

Descripción del Articulo

The authors acknowledge funding support from CONCYTEC-FONDECYT within the call E041-01 [contract number 015-2018-FONDECYT/BM]. H.E.H. acknowledges funding support from the Brazilian Agency CNPq under Projects No 465757/2014-6 (INCT FOTONICOM) and No 312714/2019-2 (HEH’s Research Productivity Grant)...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores: Prosopio-Galarza R.R., Adanaque-Infante L.A., Hernandez-Figueroa H.E., Rubio-Noriega R.E.
Formato: objeto de conferencia
Fecha de Publicación:2021
Institución:Consejo Nacional de Ciencia Tecnología e Innovación
Repositorio:CONCYTEC-Institucional
Lenguaje:inglés
OAI Identifier:oai:repositorio.concytec.gob.pe:20.500.12390/2969
Enlace del recurso:https://hdl.handle.net/20.500.12390/2969
https://doi.org/10.1117/12.2578357
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:silicon photonics
carrier depletion
electro-optics
optical modulators
https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#2.02.04
Descripción
Sumario:The authors acknowledge funding support from CONCYTEC-FONDECYT within the call E041-01 [contract number 015-2018-FONDECYT/BM]. H.E.H. acknowledges funding support from the Brazilian Agency CNPq under Projects No 465757/2014-6 (INCT FOTONICOM) and No 312714/2019-2 (HEH’s Research Productivity Grant)
An improved 1D diode model for the accurate modeling of parasitics in silicon modulators
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