MEDICIONES ESPECTRALES FOTOACÚSTICAS(PAS) DE PELÍCULAS SEMICONDUCTORAS DE SILICIO AMORFO

• Autores: Fernández Chillcce, Enver, Eyzaguirre Gorvenia, Carmen, Valera Palacios, Aníbal
• Formato: artículo
• Fecha de Publicación: 1999
• Institución: Universidad Nacional de Ingeniería
• Repositorio: Revista UNI - Tecnia
• Lenguaje: español
• OAI Identifier: oai:oai:revistas.uni.edu.pe:article/323
• Enlace del recurso: http://www.revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/323
• Nivel de acceso: acceso abierto
• Materia: espectrales; películas; silicio

In this work we present the results of the photoacustical (PAS) characterization of thin film amorphous silicon (a-Si:H). The optical parameters (n,k) are obtained for semiconductive films, obtained by a reactive “DC glow discharge” process by spectral Transmission and absortion PAS measurements in a great spectral range and good agreement with previous evaluations .We determine finally the quasi gap energy (Tauc) and the band model of the semiconductor of a-Si:H.
En este trabajo se presenta el resultado de la caracterización fotoacústica (PAS) de películas finas de silicio amorfo mediante mediciones espectrales de transmisión y absorción. En base a muestras semiconductoras obtenidas por el método de descarga plasmática reactivo se obtienen los parámetros ópticos del material (índice de refracción y coeficientes de absorción) en un amplio rango espectral, en buena correspondencia con evaluaciones previas . Determinándose así finalmente la energía del cuasi gap (Tauc) y el modelo de bandas del semiconductor de a-Si:H.