Gallium antimonide binary semiconductor has had many applications in optoelectronic devices in recent years. The study of their defects in semiconductor materials is of vital interest for this type of application. But, in addition to the routine characterization of the undoped semiconductor, it is necessary to characterize the effects produced by electrically active impurities in the doped samples. In this work, the structural and electronic properties of the vanadium doped gallium antimonide binary semiconductor (GaSb: V) were studied by means of an Atomic Force Microscope. The scan of its surface was carried out in the tapping mode to obtain images of the topography and topographic profiles of the sample, while the electronic properties were determined through the I vs V curves obtained by the contact mode.

El presente trabajo tuvo como objetivo evaluar los niveles de estrés térmico en una planta de fabricación de chocolate ubicada en la ciudad de Lima, usando el método denominado Índice TBGH de acuerdo a la norma RM 375 -2008 NTP evaluándose paralelamente el gasto metabólico de cada trabajador. La evaluación fue efectuada en 2 etapas del proceso de fabricación en caliente denominados derretidora de licor y chocomill: El equipamiento usado consto de termómetros ambientales, termistores, equipo de medición de temperatura de globo y un equipo de medición de estres termico marca EXTECH. Los resultados obtenidos con el equipo EXTECH mostraron valores similares comparados con los medidos con los termómetros. Sin embargo, los medidos usando termistores dieron valores discrepantes con los primeros. Los resultados de las mediciones nos indican que los valores de TGBHi en las dos etapas...