En un contexto de emergencia sanitaria causada por la pandemia por COVID-19, que tuvo como una de sus consecuencias el aislamiento social de los trabajadores, el presente trabajo de investigación tuvo como objetivo determinar la relación entre el trabajo remoto y la productividad del personal administrativo de la UGEL San Román, 2021. El tipo de la investigación fue básica de diseño no experimental, de corte transeccional, descriptivo y correlacional, se aplicó el instrumento a la población total de 90 colaboradores que tienen una relación de trabajo con la UGEL San Román en el ámbito de su jurisdicción y alcance normativo, la técnica para recolección de datos fue la encuesta y el instrumento utilizado un cuestionario de 22 ítems para cada variable, los principales resultados encontrados son que el 78% de los encuestados lograron un nivel alto de trabajo remoto y un 59% lo...

Gallium antimonide binary semiconductor has had many applications in optoelectronic devices in recent years. The study of their defects in semiconductor materials is of vital interest for this type of application. But, in addition to the routine characterization of the undoped semiconductor, it is necessary to characterize the effects produced by electrically active impurities in the doped samples. In this work, the structural and electronic properties of the vanadium doped gallium antimonide binary semiconductor (GaSb: V) were studied by means of an Atomic Force Microscope. The scan of its surface was carried out in the tapping mode to obtain images of the topography and topographic profiles of the sample, while the electronic properties were determined through the I vs V curves obtained by the contact mode.