Elaboración y caracterización física de películas semiconductoras de silicio amorfo

Descripción del Articulo

En este trabajo se presenta el resultado de la elaboración y caracterización de películas finas de Silicio amorfo. las películas fueron obtenidas por el Método de Descarga plasmática reactivo y a diferencia de otros trabajos realizados anteriormente por el mismo método, muestran muy buena calidad óp...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores: Fernández Chillcce, Enver, Eyzaguirre Gorvenia, Carmen Rosa, Valera Palacios, Aníbal
Formato: artículo
Fecha de Publicación:1999
Institución:Universidad Nacional de Ingeniería
Repositorio:UNI-Tesis
Lenguaje:español
OAI Identifier:oai:cybertesis.uni.edu.pe:20.500.14076/14499
Enlace del recurso:http://hdl.handle.net/20.500.14076/14499
https://doi.org/10.21754/tecnia.v9i1.442
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:Películas semiconductoras
Método de descarga plasmática reactivo
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description En este trabajo se presenta el resultado de la elaboración y caracterización de películas finas de Silicio amorfo. las películas fueron obtenidas por el Método de Descarga plasmática reactivo y a diferencia de otros trabajos realizados anteriormente por el mismo método, muestran muy buena calidad óptica, lo que ha permitido derivar los parámetros ópticos del material (índices de refracción y coeficientes de absorción), en un gran rango espectral. Se complementan los resultados con la determinación de algunas propiedades eléctricas. (Mediciones de conductividad y efecto Seebeck).
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Se complementan los resultados con la determinación de algunas propiedades eléctricas. (Mediciones de conductividad y efecto Seebeck).In this work, we present our firsr results in the elaboration and characterization of thin film amorphous silicon ( a-Si: H ). The films were obtained by an original reactiv "DC glow discharge" process, which, compared to other results obtained with the same equipment, show now very good optical quality. This goal allows us the measurement of the optical parameters (n, k) of our probes in a great spectral range. At this report, we show also some complementary results related to the semiconductor behaviour as the electrical conductivity and Seebeck effectSubmitted by Quispe Rabanal Flavio (flaviofime@hotmail.com) on 2018-10-15T20:09:54Z No. of bitstreams: 1 TECNIA_Vol.9-n1-Art.2.pdf: 7024975 bytes, checksum: 56fb24a87fd6c5c24ab53e1a8bf34914 (MD5)Made available in DSpace on 2018-10-15T20:09:54Z (GMT). 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