Elaboración y caracterización física de películas semiconductoras de silicio amorfo
Descripción del Articulo
En este trabajo se presenta el resultado de la elaboración y caracterización de películas finas de Silicio amorfo. las películas fueron obtenidas por el Método de Descarga plasmática reactivo y a diferencia de otros trabajos realizados anteriormente por el mismo método, muestran muy buena calidad óp...
| Autores: | , , |
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| Formato: | artículo |
| Fecha de Publicación: | 1999 |
| Institución: | Universidad Nacional de Ingeniería |
| Repositorio: | UNI-Tesis |
| Lenguaje: | español |
| OAI Identifier: | oai:cybertesis.uni.edu.pe:20.500.14076/14499 |
| Enlace del recurso: | http://hdl.handle.net/20.500.14076/14499 https://doi.org/10.21754/tecnia.v9i1.442 |
| Nivel de acceso: | acceso abierto |
| Materia: | Películas semiconductoras Método de descarga plasmática reactivo |
| Sumario: | En este trabajo se presenta el resultado de la elaboración y caracterización de películas finas de Silicio amorfo. las películas fueron obtenidas por el Método de Descarga plasmática reactivo y a diferencia de otros trabajos realizados anteriormente por el mismo método, muestran muy buena calidad óptica, lo que ha permitido derivar los parámetros ópticos del material (índices de refracción y coeficientes de absorción), en un gran rango espectral. Se complementan los resultados con la determinación de algunas propiedades eléctricas. (Mediciones de conductividad y efecto Seebeck). |
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Nota importante:
La información contenida en este registro es de entera responsabilidad de la institución que gestiona el repositorio institucional donde esta contenido este documento o set de datos. El CONCYTEC no se hace responsable por los contenidos (publicaciones y/o datos) accesibles a través del Repositorio Nacional Digital de Ciencia, Tecnología e Innovación de Acceso Abierto (ALICIA).
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