Photoacoustic (pas) spectral measurements of Amorphous Silicon semiconductor films

Descripción del Articulo

In this work we present the results of the photoacustical (PAS) characterization of thin film amorphous silicon (a-Si:H). The optical parameters (n,k) are obtained for semiconductive films, obtained by a reactive “DC glow discharge” process by spectral Transmission and absortion PAS measurements in...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores: Fernández Chillcce, Enver, Eyzaguirre Gorvenia, Carmen, Valera Palacios, Aníbal, Castillo, Guido, Lomer, Mauro
Formato: artículo
Fecha de Publicación:1999
Institución:Universidad Nacional de Ingeniería
Repositorio:Revistas - Universidad Nacional de Ingeniería
Lenguaje:español
OAI Identifier:oai:oai:revistas.uni.edu.pe:article/323
Enlace del recurso:https://revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/323
Nivel de acceso:acceso abierto
id REVUNI_e86dcc42a84b1b136acc3a42910dd45c
oai_identifier_str oai:oai:revistas.uni.edu.pe:article/323
network_acronym_str REVUNI
network_name_str Revistas - Universidad Nacional de Ingeniería
repository_id_str
spelling Photoacoustic (pas) spectral measurements of Amorphous Silicon semiconductor filmsMediciones espectrales Fotoacústicas(pas) de películas semiconductoras de Silicio AmorfoFernández Chillcce, EnverEyzaguirre Gorvenia, CarmenValera Palacios, AníbalCastillo, GuidoLomer, MauroIn this work we present the results of the photoacustical (PAS) characterization of thin film amorphous silicon (a-Si:H). The optical parameters (n,k) are obtained for semiconductive films, obtained by a reactive “DC glow discharge” process by spectral Transmission and absortion PAS measurements in a great spectral range and good agreement with previous evaluations .We determine finally the quasi gap energy (Tauc) and the band model of the semiconductor of a-Si:H.En este trabajo se presenta el resultado de la caracterización fotoacústica (PAS) de películas finas de silicio amorfo mediante mediciones espectrales de transmisión y absorción. En base a muestras semiconductoras obtenidas por el método de descarga plasmática reactivo se obtienen los parámetros ópticos del material (índice de refracción y coeficientes de absorción) en un amplio rango espectral, en buena correspondencia con evaluaciones previas . Determinándose así finalmente la energía del cuasi gap (Tauc) y el modelo de bandas del semiconductor de a-Si:H.Universidad Nacional de Ingeniería1999-12-01info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionArtículo evaluado por paresapplication/pdfhttps://revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/32310.21754/tecnia.v9i2.323TECNIA; Vol. 9 No. 2 (1999)TECNIA; Vol. 9 Núm. 2 (1999)2309-04130375-7765reponame:Revistas - Universidad Nacional de Ingenieríainstname:Universidad Nacional de Ingenieríainstacron:UNIspahttps://revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/323/313Derechos de autor 1999 TECNIAhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0info:eu-repo/semantics/openAccessoai:oai:revistas.uni.edu.pe:article/3232023-12-01T14:49:06Z
dc.title.none.fl_str_mv Photoacoustic (pas) spectral measurements of Amorphous Silicon semiconductor films
Mediciones espectrales Fotoacústicas(pas) de películas semiconductoras de Silicio Amorfo
title Photoacoustic (pas) spectral measurements of Amorphous Silicon semiconductor films
spellingShingle Photoacoustic (pas) spectral measurements of Amorphous Silicon semiconductor films
Fernández Chillcce, Enver
title_short Photoacoustic (pas) spectral measurements of Amorphous Silicon semiconductor films
title_full Photoacoustic (pas) spectral measurements of Amorphous Silicon semiconductor films
title_fullStr Photoacoustic (pas) spectral measurements of Amorphous Silicon semiconductor films
title_full_unstemmed Photoacoustic (pas) spectral measurements of Amorphous Silicon semiconductor films
title_sort Photoacoustic (pas) spectral measurements of Amorphous Silicon semiconductor films
dc.creator.none.fl_str_mv Fernández Chillcce, Enver
Eyzaguirre Gorvenia, Carmen
Valera Palacios, Aníbal
Castillo, Guido
Lomer, Mauro
author Fernández Chillcce, Enver
author_facet Fernández Chillcce, Enver
Eyzaguirre Gorvenia, Carmen
Valera Palacios, Aníbal
Castillo, Guido
Lomer, Mauro
author_role author
author2 Eyzaguirre Gorvenia, Carmen
Valera Palacios, Aníbal
Castillo, Guido
Lomer, Mauro
author2_role author
author
author
author
description In this work we present the results of the photoacustical (PAS) characterization of thin film amorphous silicon (a-Si:H). The optical parameters (n,k) are obtained for semiconductive films, obtained by a reactive “DC glow discharge” process by spectral Transmission and absortion PAS measurements in a great spectral range and good agreement with previous evaluations .We determine finally the quasi gap energy (Tauc) and the band model of the semiconductor of a-Si:H.
publishDate 1999
dc.date.none.fl_str_mv 1999-12-01
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Artículo evaluado por pares
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/323
10.21754/tecnia.v9i2.323
url https://revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/323
identifier_str_mv 10.21754/tecnia.v9i2.323
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.relation.none.fl_str_mv https://revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/323/313
dc.rights.none.fl_str_mv Derechos de autor 1999 TECNIA
http://creativecommons.org/licenses/by/4.0
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Derechos de autor 1999 TECNIA
http://creativecommons.org/licenses/by/4.0
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidad Nacional de Ingeniería
publisher.none.fl_str_mv Universidad Nacional de Ingeniería
dc.source.none.fl_str_mv TECNIA; Vol. 9 No. 2 (1999)
TECNIA; Vol. 9 Núm. 2 (1999)
2309-0413
0375-7765
reponame:Revistas - Universidad Nacional de Ingeniería
instname:Universidad Nacional de Ingeniería
instacron:UNI
instname_str Universidad Nacional de Ingeniería
instacron_str UNI
institution UNI
reponame_str Revistas - Universidad Nacional de Ingeniería
collection Revistas - Universidad Nacional de Ingeniería
repository.name.fl_str_mv
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1833562776923013120
score 13.888049
Photoacoustic (pas) spectral measurements of Amorphous Silicon semiconductor films
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