Photoacoustic (pas) spectral measurements of Amorphous Silicon semiconductor films
Descripción del Articulo
In this work we present the results of the photoacustical (PAS) characterization of thin film amorphous silicon (a-Si:H). The optical parameters (n,k) are obtained for semiconductive films, obtained by a reactive “DC glow discharge” process by spectral Transmission and absortion PAS measurements in...
| Autores: | , , , , |
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| Formato: | artículo |
| Fecha de Publicación: | 1999 |
| Institución: | Universidad Nacional de Ingeniería |
| Repositorio: | Revistas - Universidad Nacional de Ingeniería |
| Lenguaje: | español |
| OAI Identifier: | oai:oai:revistas.uni.edu.pe:article/323 |
| Enlace del recurso: | https://revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/323 |
| Nivel de acceso: | acceso abierto |
| Sumario: | In this work we present the results of the photoacustical (PAS) characterization of thin film amorphous silicon (a-Si:H). The optical parameters (n,k) are obtained for semiconductive films, obtained by a reactive “DC glow discharge” process by spectral Transmission and absortion PAS measurements in a great spectral range and good agreement with previous evaluations .We determine finally the quasi gap energy (Tauc) and the band model of the semiconductor of a-Si:H. |
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Nota importante:
La información contenida en este registro es de entera responsabilidad de la institución que gestiona el repositorio institucional donde esta contenido este documento o set de datos. El CONCYTEC no se hace responsable por los contenidos (publicaciones y/o datos) accesibles a través del Repositorio Nacional Digital de Ciencia, Tecnología e Innovación de Acceso Abierto (ALICIA).
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