Preparation and physical characterization of amorphous silicon semiconductor films
Descripción del Articulo
In this work, we present our first results in the elaboration and characterization of thin film amorphous silicon (a-Si: H). The films were obtained by an original reactiv “DC glow discharge” process, which, compared to other results obtained with the same equipment, show now very Good optical quali...
| Autores: | , , |
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| Formato: | artículo |
| Fecha de Publicación: | 1999 |
| Institución: | Universidad Nacional de Ingeniería |
| Repositorio: | Revistas - Universidad Nacional de Ingeniería |
| Lenguaje: | español |
| OAI Identifier: | oai:oai:revistas.uni.edu.pe:article/442 |
| Enlace del recurso: | https://revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/442 |
| Nivel de acceso: | acceso abierto |
| Sumario: | In this work, we present our first results in the elaboration and characterization of thin film amorphous silicon (a-Si: H). The films were obtained by an original reactiv “DC glow discharge” process, which, compared to other results obtained with the same equipment, show now very Good optical quality. This goal allows us the measurement of the optical parameters (n, k) of our probes in a great spectral range. At this report, we show also some complementary results related to the semiconductor behaviour as the electrical conductivity and seebeck effect. |
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Nota importante:
La información contenida en este registro es de entera responsabilidad de la institución que gestiona el repositorio institucional donde esta contenido este documento o set de datos. El CONCYTEC no se hace responsable por los contenidos (publicaciones y/o datos) accesibles a través del Repositorio Nacional Digital de Ciencia, Tecnología e Innovación de Acceso Abierto (ALICIA).
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