Preparation and physical characterization of amorphous silicon semiconductor films
Descripción del Articulo
In this work, we present our first results in the elaboration and characterization of thin film amorphous silicon (a-Si: H). The films were obtained by an original reactiv “DC glow discharge” process, which, compared to other results obtained with the same equipment, show now very Good optical quali...
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| Formato: | artículo |
| Fecha de Publicación: | 1999 |
| Institución: | Universidad Nacional de Ingeniería |
| Repositorio: | Revistas - Universidad Nacional de Ingeniería |
| Lenguaje: | español |
| OAI Identifier: | oai:oai:revistas.uni.edu.pe:article/442 |
| Enlace del recurso: | https://revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/442 |
| Nivel de acceso: | acceso abierto |
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Preparation and physical characterization of amorphous silicon semiconductor filmsElaboración y caracterización física de películas semiconductoras de silicio amorfoFernández Chillcce, EnverEyzaguirre Gorvenia, CarmenValera Palacios, AníbalIn this work, we present our first results in the elaboration and characterization of thin film amorphous silicon (a-Si: H). The films were obtained by an original reactiv “DC glow discharge” process, which, compared to other results obtained with the same equipment, show now very Good optical quality. This goal allows us the measurement of the optical parameters (n, k) of our probes in a great spectral range. At this report, we show also some complementary results related to the semiconductor behaviour as the electrical conductivity and seebeck effect.En este trabajo se presenta el resultado de la elaboración y caracterización de películas finas de silicio amorfo. Las películas fueron obtenidas por el Método de Descarga plasmática reactivo y a diferencia de otros trabajos realizados anteriormente por el mismo método, muestran muy buena calidad óptica, lo que ha permitido derivar los parámetros ópticos del material (índices de refracción y coeficientes de absorción), en un gran rango espectral. Se complementan los resultados con la determinación de algunas propiedades eléctricas. (Mediciones de conductividad y efecto Seebeck).Universidad Nacional de Ingeniería1999-06-01info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionArtículo evaluado por paresapplication/pdfhttps://revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/44210.21754/tecnia.v9i1.442TECNIA; Vol. 9 No. 1 (1999); 69-79TECNIA; Vol. 9 Núm. 1 (1999); 69-792309-04130375-7765reponame:Revistas - Universidad Nacional de Ingenieríainstname:Universidad Nacional de Ingenieríainstacron:UNIspahttps://revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/442/342Derechos de autor 1999 TECNIAhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0info:eu-repo/semantics/openAccessoai:oai:revistas.uni.edu.pe:article/4422023-12-01T16:14:28Z |
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In this work, we present our first results in the elaboration and characterization of thin film amorphous silicon (a-Si: H). The films were obtained by an original reactiv “DC glow discharge” process, which, compared to other results obtained with the same equipment, show now very Good optical quality. This goal allows us the measurement of the optical parameters (n, k) of our probes in a great spectral range. At this report, we show also some complementary results related to the semiconductor behaviour as the electrical conductivity and seebeck effect. |
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La información contenida en este registro es de entera responsabilidad de la institución que gestiona el repositorio institucional donde esta contenido este documento o set de datos. El CONCYTEC no se hace responsable por los contenidos (publicaciones y/o datos) accesibles a través del Repositorio Nacional Digital de Ciencia, Tecnología e Innovación de Acceso Abierto (ALICIA).
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