Estudio mediante microscopia de fuerza atómica conductivo de capas delgadas de GaSb dopado con vanadio

• Autor: Yaringaño Limache, Roxani Marisa
• Formato: tesis de maestría
• Fecha de Publicación: 2020
• Institución: Universidad Nacional Mayor de San Marcos
• Repositorio: UNMSM-Tesis
• Lenguaje: español
• OAI Identifier: oai:cybertesis.unmsm.edu.pe:20.500.12672/15458
• Enlace del recurso: https://hdl.handle.net/20.500.12672/15458
• Nivel de acceso: acceso abierto
• Materia: Microscopios electrónicos - Perú; Microscopios; Microscopía electrónica; https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.01

Estudia la distribución no homogénea de dopante formando microprecipitados en la muestra, así como también se investigó las propiedades electrónicas en regiones libres y en esta distribución no homogénea de dopante, utilizando para ello el Microscopio de Fuerza Atómica (AFM) en modo conductivo. Uno de los objetivos fundamentales de este trabajo es determinar los microprecipitados a partir de sus propiedades electrónicas, para ello se obtiene, en primer término, las curvas corrientes vs voltaje (I vs V), a partir de las cuales se determina el comportamiento electrónico tanto de los microprecipitados como de la matriz. Con los resultados obtenidos, se determina a través de la imagen de corriente, si los cambios que se observan en determinadas regiones son debidos a la distribución homogénea de dopante o a microprecipitados.