Montaje de un sistema de magnetrón sputtering de caras opuestas para la producción de películas delgadas de Hidroxiapatita

Descripción del Articulo

Implementa un sistema de magnetrón sputtering de caras opuestas el cual se ensambló el Laboratorio de Síntesis y Caracterización deMateriales de la Universidad Nacional Mayor de San Marcos (UNMSM). La implementación del sistema se llevó a cabo teniendo en cuenta las especificaciones de los sistemas...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Torres Calla, Manuel Jesús
Formato: tesis de grado
Fecha de Publicación:2023
Institución:Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Repositorio:UNMSM-Tesis
Lenguaje:español
OAI Identifier:oai:cybertesis.unmsm.edu.pe:20.500.12672/22789
Enlace del recurso:https://hdl.handle.net/20.500.12672/22789
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:Magnetrones
Hidroxiapatita
https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.02
Descripción
Sumario:Implementa un sistema de magnetrón sputtering de caras opuestas el cual se ensambló el Laboratorio de Síntesis y Caracterización deMateriales de la Universidad Nacional Mayor de San Marcos (UNMSM). La implementación del sistema se llevó a cabo teniendo en cuenta las especificaciones de los sistemas de sputtering actuales. Finalmente, para verificar el funcionamiento de este equipo se realizó el crecimiento de películas delgadas de Hidroxiapatita (HAp) a diferentes tiempos de crecimientos partiendo de blancos (targets) de HAp. La potencia usada en el sistema de sputtering fue de 120 W con una mezcla de gases de Ar y O2 en una relación de 5 a 1. La caracterización del plasma se realizó mediante espectroscopia óptica de emisión (EOS), mientras que la caracterización morfológica de las películas delgadas se realizó mediante microscopía óptica y microscopia electrónica de barrido (SEM). Por otro lado, la caracterización elemental y de compuestos moleculares se realizaron mediante la técnica de espectroscopia de energía dispersiva (EDS) y espectroscopia infrarroja por transformada de Fourier (FTIR) respectivamente. El análisis por difracción de rayos X (XDR) mostró el crecimiento cristalino de la HAp para tiempos de 3 a 5 horas. Finalmente, los resultados microscopía de fuerza atómica (AFM) mostraron una tasa de crecimiento de 1.4 nm/min.
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