Brecha de energía prohibida en la estructura electrónica de la aleación Indio-Arsenico InAs

• Autor: Cabrera Arista, César
• Formato: informe técnico
• Fecha de Publicación: 2021
• Institución: Universidad Nacional del Callao
• Repositorio: UNAC-Institucional
• Lenguaje: español
• OAI Identifier: oai:repositorio.unac.edu.pe:20.500.12952/7959
• Enlace del recurso: https://hdl.handle.net/20.500.12952/7959
• Nivel de acceso: acceso abierto
• Materia: Energía prohibida; Estructura electrónica; Indio-Arsénico InAs; https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#2.04.01

Conocer la estructura electrónica de los materiales y de las aleaciones sólidas de InAs es de mucha importancia en la física del estado sólido, pues tiene una profunda influencia en las posibles y diversas aplicaciones tecnológicas que se les puede dar sobre todo a las aleaciones semiconductoras. En general para determinar las propiedades electrónicas de los materiales sólidos cristalinos se pueden emplear técnicas experimentales de alto costo como fotoluminiscencia muy complejas y sofisticadas, pero también se puede obtener de forma teórica para lo cual se debe formular la ecuación de Schrödinger del sólido cristalino y ser resuelta con algún método o técnica de cálculo computacional, tal como el método de los orbitales lineales muffin-tin (Andersen et al., 1986), ó el método de la aproximación del gradiente generalizado para el potencial de intercambio y correlación (Tran & Blaha, 2009), el método de la combinación lineal de los orbitales Gaussianos LCGA (C. S. Wang & Klein, 1981), etc. En 2013 Wang efectuó el estudio: Electronic structure of III-V zinc-blende semiconductors from first principles (Y. Wang et al., 2013b), en la que se reportan las propiedades electrónicas de semiconductores como InAs calculadas usando el modelo de Becke-Johnson en el potencial de intercambio para el cálculo de estructura de bandas. En 1999 Remediakis y Kaxiras publicaron el estudio: Band-Structure calculations for semiconductors within generalized-density-functional theory, (Remediakis & Kaxiras, 1999), en la que se reportan el cálculo de las propiedades electrónicas de semiconductores entre ellos del arseniuro de indio (InAs) usando la teoría generalizada del funcional de la densidad. En 2011 se efectúa el estudio: cálculos de primeros principios de las propiedades estructurales y electrónicas de los compuestos arsénicos XAs (X = In, Al, Sc) and electronic properties of arsenic compound (Simón, 2011), que usa el método de las ondas planas aumentadas linealizadas de potencial completo para calcular la estructura electrónica de la aleación InAs.