Non-linear modeling for low and high power microwave transistors
Descripción del Articulo
New generation of communications systems will demand the use of low power devices in mesh configuration. This work presents a new characterization procedure for those devices in order to predict their behaviour before the implementation saving time and cost.
| Autor: | |
|---|---|
| Formato: | artículo |
| Fecha de Publicación: | 2017 |
| Institución: | Universidad La Salle |
| Repositorio: | ULASALLE-Institucional |
| Lenguaje: | inglés |
| OAI Identifier: | oai:repositorio.ulasalle.edu.pe:20.500.12953/65 |
| Enlace del recurso: | http://repositorio.ulasalle.edu.pe/handle/20.500.12953/65 |
| Nivel de acceso: | acceso restringido |
| Materia: | Mathematical model , Microwave circuits , Microwave transistors , Pulse measurements , Radio frequency , Electromagnetic heating Microwave circuits, Microwave transistors |
| Sumario: | New generation of communications systems will demand the use of low power devices in mesh configuration. This work presents a new characterization procedure for those devices in order to predict their behaviour before the implementation saving time and cost. |
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Nota importante:
La información contenida en este registro es de entera responsabilidad de la institución que gestiona el repositorio institucional donde esta contenido este documento o set de datos. El CONCYTEC no se hace responsable por los contenidos (publicaciones y/o datos) accesibles a través del Repositorio Nacional Digital de Ciencia, Tecnología e Innovación de Acceso Abierto (ALICIA).
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