Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices

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In this work, stoichiometric, structural and light emission properties of amorphous wide bandgap semiconductor materials doped with terbium are presented. The amorphous nature of the thin films was confirmed by X-ray diffraction under grazing incidence. Fourier transform infrared spectroscopy spectr...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Montañez Huamán, Liz Margarita
Formato: tesis de maestría
Fecha de Publicación:2016
Institución:Pontificia Universidad Católica del Perú
Repositorio:PUCP-Institucional
Lenguaje:español
OAI Identifier:oai:repositorio.pucp.edu.pe:20.500.14657/146167
Enlace del recurso:http://hdl.handle.net/20.500.12404/6999
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:Luminiscencia--Dispositivos
Luz--Estequiometría
Espectrometría
Fotoluminiscencia
https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#2.05.01
id RPUC_fb6c1b5127687963522931967808b10c
oai_identifier_str oai:repositorio.pucp.edu.pe:20.500.14657/146167
network_acronym_str RPUC
network_name_str PUCP-Institucional
repository_id_str 2905
spelling Weingärtner, RolandHoppe, HaraldMontañez Huamán, Liz Margarita2016-06-21T03:04:44Z2016-06-21T03:04:44Z20162016-06-20http://hdl.handle.net/20.500.12404/6999In this work, stoichiometric, structural and light emission properties of amorphous wide bandgap semiconductor materials doped with terbium are presented. The amorphous nature of the thin films was confirmed by X-ray diffraction under grazing incidence. Fourier transform infrared spectroscopy spectra exhibit the formation of oxygen bonded elements and X-ray photoelectron spectroscopy reveals the formation of aluminum oxynitride and silicon oxycarbide as host matrices. The thin films were annealed at temperatures ranging from 300 °C to 1000 °C using a rapid thermal processing furnace. The highest light emission intensity for the case of aluminum oxynitride was obtained for terbium concentrations higher than 1 at% and for the annealing temperature at around 400 °C. Additionally, using the characterized films as active layer first electroluminescence devices were designed and investigated.En el presente trabajo de investigación se ha estudiado propiedades estequiometrias, estructurales y de emisión de luz de semiconductor de amplio ancho de banda dopados con terbio. La difracción de rayos-X en ángulo rasante confirma el estado amorfo de las películas. Los espectros de absorción infrarroja muestran la formación de óxidos en las películas y la espectroscopia de foto-electrones de rayos-X revela la formación de oxinitruro de aluminio y oxicarburo de silicio. Las películas han sido calentadas a temperaturas en el rango de 300 °C a 1000 °C en un horno de rápido procesamiento térmico. De acuerdo con el análisis de las medidas de fotoluminiscencia, la intensidad más alta de emisión de luz del terbio es para películas que tengan concentraciones de terbio mayores al 1at% y a una temperatura de tratamiento térmico de alrededor de 400 °C. Adicionalmente, las películas analizadas han sido usado como capas activas para el diseño de dispositivos electroluminiscentesTesisspaPontificia Universidad Católica del PerúPEinfo:eu-repo/semantics/openAccesshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/Luminiscencia--DispositivosLuz--EstequiometríaEspectrometríaFotoluminiscenciahttps://purl.org/pe-repo/ocde/ford#2.05.01Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devicesinfo:eu-repo/semantics/masterThesisTesis de maestríareponame:PUCP-Institucionalinstname:Pontificia Universidad Católica del Perúinstacron:PUCPMaestro en Ingeniería y Ciencia de los MaterialesMaestríaPontificia Universidad Católica del Perú. Escuela de PosgradoIngeniería y Ciencia de los Materiales713017https://purl.org/pe-repo/renati/level#maestrohttp://purl.org/pe-repo/renati/type#tesis20.500.14657/146167oai:repositorio.pucp.edu.pe:20.500.14657/1461672024-06-10 10:05:41.49http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/info:eu-repo/semantics/openAccessmetadata.onlyhttps://repositorio.pucp.edu.peRepositorio Institucional de la PUCPrepositorio@pucp.pe
dc.title.es_ES.fl_str_mv Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices
title Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices
spellingShingle Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices
Montañez Huamán, Liz Margarita
Luminiscencia--Dispositivos
Luz--Estequiometría
Espectrometría
Fotoluminiscencia
https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#2.05.01
title_short Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices
title_full Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices
title_fullStr Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices
title_full_unstemmed Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices
title_sort Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices
author Montañez Huamán, Liz Margarita
author_facet Montañez Huamán, Liz Margarita
author_role author
dc.contributor.advisor.fl_str_mv Weingärtner, Roland
Hoppe, Harald
dc.contributor.author.fl_str_mv Montañez Huamán, Liz Margarita
dc.subject.es_ES.fl_str_mv Luminiscencia--Dispositivos
Luz--Estequiometría
Espectrometría
Fotoluminiscencia
topic Luminiscencia--Dispositivos
Luz--Estequiometría
Espectrometría
Fotoluminiscencia
https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#2.05.01
dc.subject.ocde.es_ES.fl_str_mv https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#2.05.01
description In this work, stoichiometric, structural and light emission properties of amorphous wide bandgap semiconductor materials doped with terbium are presented. The amorphous nature of the thin films was confirmed by X-ray diffraction under grazing incidence. Fourier transform infrared spectroscopy spectra exhibit the formation of oxygen bonded elements and X-ray photoelectron spectroscopy reveals the formation of aluminum oxynitride and silicon oxycarbide as host matrices. The thin films were annealed at temperatures ranging from 300 °C to 1000 °C using a rapid thermal processing furnace. The highest light emission intensity for the case of aluminum oxynitride was obtained for terbium concentrations higher than 1 at% and for the annealing temperature at around 400 °C. Additionally, using the characterized films as active layer first electroluminescence devices were designed and investigated.
publishDate 2016
dc.date.accessioned.es_ES.fl_str_mv 2016-06-21T03:04:44Z
dc.date.available.es_ES.fl_str_mv 2016-06-21T03:04:44Z
dc.date.created.es_ES.fl_str_mv 2016
dc.date.issued.fl_str_mv 2016-06-20
dc.type.es_ES.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
dc.type.other.none.fl_str_mv Tesis de maestría
format masterThesis
dc.identifier.uri.none.fl_str_mv http://hdl.handle.net/20.500.12404/6999
url http://hdl.handle.net/20.500.12404/6999
dc.language.iso.es_ES.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.es_ES.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri.*.fl_str_mv http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/
dc.publisher.es_ES.fl_str_mv Pontificia Universidad Católica del Perú
dc.publisher.country.es_ES.fl_str_mv PE
dc.source.none.fl_str_mv reponame:PUCP-Institucional
instname:Pontificia Universidad Católica del Perú
instacron:PUCP
instname_str Pontificia Universidad Católica del Perú
instacron_str PUCP
institution PUCP
reponame_str PUCP-Institucional
collection PUCP-Institucional
repository.name.fl_str_mv Repositorio Institucional de la PUCP
repository.mail.fl_str_mv repositorio@pucp.pe
_version_ 1835639345110843392
score 13.839097
Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices
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