Determination of the optical bandgap of thin amorphous (SiC) 1-x (AIN) x films produced by radio frequency dual magnetron sputtering

Descripción del Articulo

Películas delgadas amorfas semiconductoras de amplio ancho de banda del compuesto pseudobinario (SiC)1-x(AlN)x fueron depositadas por pulverización por un sistema de dos magnetrones de radio frecuencia sobre CaF2, MgO, Al2O3 y vidrio. Con el fin de determinar el ancho de banda óptico versus la compo...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Guerra Torres, Jorge Andrés
Formato: tesis de maestría
Fecha de Publicación:2010
Institución:Pontificia Universidad Católica del Perú
Repositorio:PUCP-Institucional
Lenguaje:inglés
OAI Identifier:oai:repositorio.pucp.edu.pe:20.500.14657/144933
Enlace del recurso:http://hdl.handle.net/20.500.12404/7009
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:Películas delgadas
Semiconductores amorfos
Semiconductores
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