Determination of the optical bandgap of thin amorphous (SiC) 1-x (AIN) x films produced by radio frequency dual magnetron sputtering

• Autor: Guerra Torres, Jorge Andrés
• Formato: tesis de maestría
• Fecha de Publicación: 2010
• Institución: Pontificia Universidad Católica del Perú
• Repositorio: PUCP-Institucional
• Lenguaje: inglés
• OAI Identifier: oai:repositorio.pucp.edu.pe:20.500.14657/144933
• Enlace del recurso: http://hdl.handle.net/20.500.12404/7009
• Nivel de acceso: acceso abierto
• Materia: Películas delgadas; Semiconductores amorfos; Semiconductores; https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.00

Películas delgadas amorfas semiconductoras de amplio ancho de banda del compuesto pseudobinario (SiC)1-x(AlN)x fueron depositadas por pulverización por un sistema de dos magnetrones de radio frecuencia sobre CaF2, MgO, Al2O3 y vidrio. Con el fin de determinar el ancho de banda óptico versus la composición de la película, se realizaron medidas espectroscópicas de la transmisión de donde el índice de refracción y el coeficiente de absorción fueron calculados y medidas espectroscópicas de la dispersión de energía (EDS) de donde la composición fue determinada. El ancho de banda óptico es determinado para cada composición a partir del coeficiente de absorción de dos maneras distintas: según el gráfico de Tauc y utilizando el gráfico de (αhν)2. la dependencia del ancho de banda con la composición x puede ser descrita por la ley empírica de Vegard para aleaciones.