Band ordering and relativistic effects on HgTe and CdTe electronic structure

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The topological materials permit transport of polarized charges through edge and surface states in 2D y 3D systems. These edge and surfaces states are protected by topological symmetry order that is based in spin-orbit coupling and in the invariance under time reversal operator.The...

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Detalles Bibliográficos
Autores: Hinostroza Vargas Machuca, Cristhian David, Rivera Riofano, Pablo Héctor
Formato: artículo
Fecha de Publicación:2021
Institución:Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Repositorio:Revistas - Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Lenguaje:español
OAI Identifier:oai:ojs.csi.unmsm:article/20448
Enlace del recurso:https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/20448
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:Semiconductors
Density functional theory
Band structure
Spin-orbit coupling
Semiconductores
Teoría de funcionales de densidad
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acoplamiento espín-órbita
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spelling Band ordering and relativistic effects on HgTe and CdTe electronic structureOrdenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTeHinostroza Vargas Machuca, Cristhian DavidRivera Riofano, Pablo HéctorHinostroza Vargas Machuca, Cristhian DavidRivera Riofano, Pablo HéctorSemiconductorsDensity functional theoryBand structureSpin-orbit couplingSemiconductoresTeoría de funcionales de densidadestructura de bandaacoplamiento espín-órbitaThe topological materials permit transport of polarized charges through edge and surface states in 2D y 3D systems. These edge and surfaces states are protected by topological symmetry order that is based in spin-orbit coupling and in the invariance under time reversal operator.The main purpose of this work is to analyze the evolution of the surface state from HgTe and CdTe alloys observing the band inversion and the effect of d atomic orbital on the band inversion and the spin-orbit coupling intensity.Results where obtained using density functional theory with a local spin density approximation and the Hubbard correction (SLDA+U) considering relativistic effects and spin polarization.Los materiales topológicos permiten el transporte de cargas polarizadas a través de estados de borde y superficie en sistemas 2D y 3D. Estos estados de borde y superficie están protegidos por la simetría de orden topológico basada en el acoplamiento espín-órbita y en la invarianza sobre el operador de reversión temporal. El propósito principal de este trabajo es analizar la evolución del estado de superficie en las aleaciones HgTe y CdTe observando la inversión de bandas y el efecto de los orbitales atómicos d en la inversión de las bandas y la intensidad del acoplamiento espín-órbita. Los resultados fueron obtenidos usando la teoría de funcionales de densidad con aproximación local de densidad de espín y la corrección de Hubbard  (SLDA+U) considerando efectos relativistas y polarización de espín.Universidad Nacional Mayor de San Marcos2021-12-16info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionRevision articleArtículo de revisiónapplication/pdfhttps://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/2044810.15381/rif.v24i3.20448Revista de Investigación de Física; Vol. 24 No. 3 (2021); 78-82Revista de Investigación de Física; Vol. 24 Núm. 3 (2021); 78-821728-29771605-7724reponame:Revistas - Universidad Nacional Mayor de San Marcosinstname:Universidad Nacional Mayor de San Marcosinstacron:UNMSMspahttps://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/20448/17244Derechos de autor 2021 Cristhian David Hinostroza Vargas Machuca, Pablo Héctor Rivera Riofanohttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0info:eu-repo/semantics/openAccessoai:ojs.csi.unmsm:article/204482022-01-04T06:35:47Z
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