MEASUREMENT OF COMPLEX REFRACTIVE INDEX AND FORBIDDEN BAND POWER SEMICONDUCTOR CdSe
Descripción del Articulo
We determine the complex refractive index (N) of a semiconducting CdSe thin film from the measurements of the transmittance spectrum. The experiment allow us to obtain, from the real part of refractive index, the N dispersive law, and from the imaginary part, the absortion coefficient. An energy dep...
| Autores: | , , |
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| Formato: | artículo |
| Fecha de Publicación: | 2000 |
| Institución: | Universidad Nacional Mayor de San Marcos |
| Repositorio: | Revistas - Universidad Nacional Mayor de San Marcos |
| Lenguaje: | español |
| OAI Identifier: | oai:ojs.csi.unmsm:article/8604 |
| Enlace del recurso: | https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/8604 |
| Nivel de acceso: | acceso abierto |
| Materia: | index of refraction semiconductor thin film Índice de refracción película delgada CdSe |
| Sumario: | We determine the complex refractive index (N) of a semiconducting CdSe thin film from the measurements of the transmittance spectrum. The experiment allow us to obtain, from the real part of refractive index, the N dispersive law, and from the imaginary part, the absortion coefficient. An energy dependence analysis of the absorption coefficient is done to obtain the value of the forbidden band ''GAP'' of thesemiconductor and the nature of the optical transition. |
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Nota importante:
La información contenida en este registro es de entera responsabilidad de la institución que gestiona el repositorio institucional donde esta contenido este documento o set de datos. El CONCYTEC no se hace responsable por los contenidos (publicaciones y/o datos) accesibles a través del Repositorio Nacional Digital de Ciencia, Tecnología e Innovación de Acceso Abierto (ALICIA).
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