Electroni Structure in crystalline system of Ge, GaP and SiC
Descripción del Articulo
Be study the electronic structure of Ge and of the compounds GaP and SiC, we utilized a local density potential (LDA) and the method (LMTO) we present the calulated energy band, band-gaps, the density occupied states DOS, the total energy of crystalline system. There is good agreement between the ca...
| Autores: | , |
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| Formato: | artículo |
| Fecha de Publicación: | 2018 |
| Institución: | Universidad Nacional Mayor de San Marcos |
| Repositorio: | Revistas - Universidad Nacional Mayor de San Marcos |
| Lenguaje: | español |
| OAI Identifier: | oai:ojs.csi.unmsm:article/15164 |
| Enlace del recurso: | https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/15164 |
| Nivel de acceso: | acceso abierto |
| Materia: | energy bands Density of States crystal lattice bandas de energía densidad de estados red cristalina |
| Sumario: | Be study the electronic structure of Ge and of the compounds GaP and SiC, we utilized a local density potential (LDA) and the method (LMTO) we present the calulated energy band, band-gaps, the density occupied states DOS, the total energy of crystalline system. There is good agreement between the calculated electronic properties and experimental results. |
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Nota importante:
La información contenida en este registro es de entera responsabilidad de la institución que gestiona el repositorio institucional donde esta contenido este documento o set de datos. El CONCYTEC no se hace responsable por los contenidos (publicaciones y/o datos) accesibles a través del Repositorio Nacional Digital de Ciencia, Tecnología e Innovación de Acceso Abierto (ALICIA).
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