Caracterización electrónica de óxidos semiconductores dependiente de la temperatura: implementación experimental y análisis físico

Descripción del Articulo

Se implemento y automatizo un sistema de efecto Hall para medir las propiedades eléctricas tales como, resistividad, movilidad, densidad y tipo de portador de carga en películas delgadas. Adicionalmente este sistema de medición fue implementado para realizar medidas en el rango de −190◦C hasta 350◦C...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Céspedes Berrocal, David Luciano
Formato: tesis de maestría
Fecha de Publicación:2025
Institución:Pontificia Universidad Católica del Perú
Repositorio:PUCP-Tesis
Lenguaje:español
OAI Identifier:oai:tesis.pucp.edu.pe:20.500.12404/31755
Enlace del recurso:http://hdl.handle.net/20.500.12404/31755
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:Efecto Hall
Películas delgadas--Propiedades eléctricas
Resistividad--Medición
https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.00
id PUCP_b4a83c58bc7ec40d50a68c14635f9bf2
oai_identifier_str oai:tesis.pucp.edu.pe:20.500.12404/31755
network_acronym_str PUCP
network_name_str PUCP-Tesis
repository_id_str .
dc.title.none.fl_str_mv Caracterización electrónica de óxidos semiconductores dependiente de la temperatura: implementación experimental y análisis físico
title Caracterización electrónica de óxidos semiconductores dependiente de la temperatura: implementación experimental y análisis físico
spellingShingle Caracterización electrónica de óxidos semiconductores dependiente de la temperatura: implementación experimental y análisis físico
Céspedes Berrocal, David Luciano
Efecto Hall
Películas delgadas--Propiedades eléctricas
Resistividad--Medición
https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.00
title_short Caracterización electrónica de óxidos semiconductores dependiente de la temperatura: implementación experimental y análisis físico
title_full Caracterización electrónica de óxidos semiconductores dependiente de la temperatura: implementación experimental y análisis físico
title_fullStr Caracterización electrónica de óxidos semiconductores dependiente de la temperatura: implementación experimental y análisis físico
title_full_unstemmed Caracterización electrónica de óxidos semiconductores dependiente de la temperatura: implementación experimental y análisis físico
title_sort Caracterización electrónica de óxidos semiconductores dependiente de la temperatura: implementación experimental y análisis físico
author Céspedes Berrocal, David Luciano
author_facet Céspedes Berrocal, David Luciano
author_role author
dc.contributor.advisor.fl_str_mv Guerra Torres, Jorge Andrés
dc.contributor.author.fl_str_mv Céspedes Berrocal, David Luciano
dc.subject.none.fl_str_mv Efecto Hall
Películas delgadas--Propiedades eléctricas
Resistividad--Medición
topic Efecto Hall
Películas delgadas--Propiedades eléctricas
Resistividad--Medición
https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.00
dc.subject.ocde.none.fl_str_mv https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.00
description Se implemento y automatizo un sistema de efecto Hall para medir las propiedades eléctricas tales como, resistividad, movilidad, densidad y tipo de portador de carga en películas delgadas. Adicionalmente este sistema de medición fue implementado para realizar medidas en el rango de −190◦C hasta 350◦C, para temperaturas criogénicas se usó nitrógeno líquido, mientras que para altas temperaturas se utilizó un calefactor embebido en la plataforma de medida. Con el objetivo de evaluar el sistema implementado se crecieron películas delgadas de óxido de zinc dopado con aluminio (AZO) por pulverización catódica. Para probar el sistema de medición en altas temperaturas se calentaron películas delgadas de AZO con diferentes condiciones, para encontrar una muestra estable en un amplio rango de temperaturas. Con el sistema implementado se calculó las energías de activación para una película delgada de carburo de silicio nitrogenado.
publishDate 2025
dc.date.accessioned.none.fl_str_mv 2025-09-09T21:12:22Z
dc.date.available.none.fl_str_mv 2025-09-09T21:12:22Z
dc.date.created.none.fl_str_mv 2025
dc.date.issued.fl_str_mv 2025-09-09
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
dc.identifier.uri.none.fl_str_mv http://hdl.handle.net/20.500.12404/31755
url http://hdl.handle.net/20.500.12404/31755
dc.language.iso.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.relation.ispartof.fl_str_mv SUNEDU
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri.none.fl_str_mv http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/pe/
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/pe/
dc.publisher.es_ES.fl_str_mv Pontificia Universidad Católica del Perú
dc.publisher.country.none.fl_str_mv PE
dc.source.none.fl_str_mv reponame:PUCP-Tesis
instname:Pontificia Universidad Católica del Perú
instacron:PUCP
instname_str Pontificia Universidad Católica del Perú
instacron_str PUCP
institution PUCP
reponame_str PUCP-Tesis
collection PUCP-Tesis
bitstream.url.fl_str_mv https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/e512e2eb-290b-4a2d-88b5-43fd48dabfd9/download
https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/8afddbf6-2762-45bd-9213-500122768ac1/download
https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/f42534b2-4e63-4b62-8a40-4620f3b6a7c9/download
https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/14ecec9a-0b24-47c2-bb2d-cd2e8d445220/download
https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/d2d96c54-7ad8-4389-aba6-db6b5fb355a4/download
https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/f4e672c3-859d-47b1-93d8-1d10b1a0a120/download
https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/b09d6f22-2048-4ed0-9782-81f8e07fe542/download
https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/9a272b59-af75-4ced-bb64-e373ff41eb8e/download
bitstream.checksum.fl_str_mv 9829bb1ce25b7dc3fd741cdee42c624d
1f79a65669537b7cd7d45162d827242a
3cce22cdbfa6875906fb15a718e73ab5
bb9bdc0b3349e4284e09149f943790b4
512e756064ad784d02c16749ed328675
3b4562e6b89ffd7f9e7b312ee29bda60
b33df9820690765bb852799d905fcf25
4d26dec44f62f73f4fa8ea0f519d874a
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
MD5
MD5
MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositorio de Tesis PUCP
repository.mail.fl_str_mv raul.sifuentes@pucp.pe
_version_ 1846786171494989824
spelling Guerra Torres, Jorge AndrésCéspedes Berrocal, David Luciano2025-09-09T21:12:22Z2025-09-09T21:12:22Z20252025-09-09http://hdl.handle.net/20.500.12404/31755Se implemento y automatizo un sistema de efecto Hall para medir las propiedades eléctricas tales como, resistividad, movilidad, densidad y tipo de portador de carga en películas delgadas. Adicionalmente este sistema de medición fue implementado para realizar medidas en el rango de −190◦C hasta 350◦C, para temperaturas criogénicas se usó nitrógeno líquido, mientras que para altas temperaturas se utilizó un calefactor embebido en la plataforma de medida. Con el objetivo de evaluar el sistema implementado se crecieron películas delgadas de óxido de zinc dopado con aluminio (AZO) por pulverización catódica. Para probar el sistema de medición en altas temperaturas se calentaron películas delgadas de AZO con diferentes condiciones, para encontrar una muestra estable en un amplio rango de temperaturas. Con el sistema implementado se calculó las energías de activación para una película delgada de carburo de silicio nitrogenado.A Hall effect system was implemented and automated to measure electrical properties such as resistivity, mobility, carrier density, and type of charge carrier in thin films. Additionally, this measurements system was implemented to perform measurements in the range from -190°C to 350°C. For cryogenic temperatures, liquid nitrogen was used, while for high temperatures, a heater embedded in the measurement platform was used. In order to evaluated the implemented system, aluminium-doped zinc oxide (AZO) thin films were grown by sputtering. To test the measurement system at high temperatures, AZO thin films were heated under different conditions to find a stable sample over a wide temperature range. With the implemented system, activation energies were calculated for a thin film of nitrogenated silicion carbide SiC:N.spaPontificia Universidad Católica del PerúPEinfo:eu-repo/semantics/openAccesshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/pe/Efecto HallPelículas delgadas--Propiedades eléctricasResistividad--Mediciónhttps://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.00Caracterización electrónica de óxidos semiconductores dependiente de la temperatura: implementación experimental y análisis físicoinfo:eu-repo/semantics/masterThesisreponame:PUCP-Tesisinstname:Pontificia Universidad Católica del Perúinstacron:PUCPSUNEDUMaestro en Física AplicadaMaestríaPontificia Universidad Católica del Perú. Escuela de Posgrado.Física Aplicada46163725https://orcid.org/0000-0002-1734-666047690622533027Palomino Tofflinger, Jan AmaruGuerra Torres, Jorge AndrésSerquen Infante, Erick Stalinhttps://purl.org/pe-repo/renati/level#maestrohttps://purl.org/pe-repo/renati/type#tesisORIGINALCESPEDES_BERROCAL_DAVID_LUCIANO.pdfCESPEDES_BERROCAL_DAVID_LUCIANO.pdfTexto completoapplication/pdf1982632https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/e512e2eb-290b-4a2d-88b5-43fd48dabfd9/download9829bb1ce25b7dc3fd741cdee42c624dMD51trueAnonymousREADCESPEDES_BERROCAL_DAVID_LUCIANO_T.pdfCESPEDES_BERROCAL_DAVID_LUCIANO_T.pdfReporte de originalidadapplication/pdf12418612https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/8afddbf6-2762-45bd-9213-500122768ac1/download1f79a65669537b7cd7d45162d827242aMD52falseAdministratorREADCC-LICENSElicense_rdflicense_rdfapplication/rdf+xml; charset=utf-81166https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/f42534b2-4e63-4b62-8a40-4620f3b6a7c9/download3cce22cdbfa6875906fb15a718e73ab5MD53falseAnonymousREADLICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-81748https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/14ecec9a-0b24-47c2-bb2d-cd2e8d445220/downloadbb9bdc0b3349e4284e09149f943790b4MD54falseAnonymousREADTEXTCESPEDES_BERROCAL_DAVID_LUCIANO.pdf.txtCESPEDES_BERROCAL_DAVID_LUCIANO.pdf.txtExtracted texttext/plain128890https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/d2d96c54-7ad8-4389-aba6-db6b5fb355a4/download512e756064ad784d02c16749ed328675MD55falseAnonymousREADCESPEDES_BERROCAL_DAVID_LUCIANO_T.pdf.txtCESPEDES_BERROCAL_DAVID_LUCIANO_T.pdf.txtExtracted texttext/plain8561https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/f4e672c3-859d-47b1-93d8-1d10b1a0a120/download3b4562e6b89ffd7f9e7b312ee29bda60MD57falseAdministratorREADTHUMBNAILCESPEDES_BERROCAL_DAVID_LUCIANO.pdf.jpgCESPEDES_BERROCAL_DAVID_LUCIANO.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg9089https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/b09d6f22-2048-4ed0-9782-81f8e07fe542/downloadb33df9820690765bb852799d905fcf25MD56falseAnonymousREADCESPEDES_BERROCAL_DAVID_LUCIANO_T.pdf.jpgCESPEDES_BERROCAL_DAVID_LUCIANO_T.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg7646https://tesis.pucp.edu.pe/bitstreams/9a272b59-af75-4ced-bb64-e373ff41eb8e/download4d26dec44f62f73f4fa8ea0f519d874aMD58falseAdministratorREAD20.500.12404/31755oai:tesis.pucp.edu.pe:20.500.12404/317552025-10-22 17:13:41.107http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/pe/info:eu-repo/semantics/openAccessopen.accesshttps://tesis.pucp.edu.peRepositorio de Tesis PUCPraul.sifuentes@pucp.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
score 13.982353
Caracterización electrónica de óxidos semiconductores dependiente de la temperatura: implementación experimental y análisis físico
Nota importante:
La información contenida en este registro es de entera responsabilidad de la institución que gestiona el repositorio institucional donde esta contenido este documento o set de datos. El CONCYTEC no se hace responsable por los contenidos (publicaciones y/o datos) accesibles a través del Repositorio Nacional Digital de Ciencia, Tecnología e Innovación de Acceso Abierto (ALICIA).

Ejemplares Similares