Caracterización electrónica de óxidos semiconductores dependiente de la temperatura: implementación experimental y análisis físico

Descripción del Articulo

Se implemento y automatizo un sistema de efecto Hall para medir las propiedades eléctricas tales como, resistividad, movilidad, densidad y tipo de portador de carga en películas delgadas. Adicionalmente este sistema de medición fue implementado para realizar medidas en el rango de −190◦C hasta 350◦C...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Céspedes Berrocal, David Luciano
Formato: tesis de maestría
Fecha de Publicación:2025
Institución:Pontificia Universidad Católica del Perú
Repositorio:PUCP-Tesis
Lenguaje:español
OAI Identifier:oai:tesis.pucp.edu.pe:20.500.12404/31755
Enlace del recurso:http://hdl.handle.net/20.500.12404/31755
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:Efecto Hall
Películas delgadas--Propiedades eléctricas
Resistividad--Medición
https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.00
Descripción
Sumario:Se implemento y automatizo un sistema de efecto Hall para medir las propiedades eléctricas tales como, resistividad, movilidad, densidad y tipo de portador de carga en películas delgadas. Adicionalmente este sistema de medición fue implementado para realizar medidas en el rango de −190◦C hasta 350◦C, para temperaturas criogénicas se usó nitrógeno líquido, mientras que para altas temperaturas se utilizó un calefactor embebido en la plataforma de medida. Con el objetivo de evaluar el sistema implementado se crecieron películas delgadas de óxido de zinc dopado con aluminio (AZO) por pulverización catódica. Para probar el sistema de medición en altas temperaturas se calentaron películas delgadas de AZO con diferentes condiciones, para encontrar una muestra estable en un amplio rango de temperaturas. Con el sistema implementado se calculó las energías de activación para una película delgada de carburo de silicio nitrogenado.
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