Análisis y comprobación del comportamiento de los transistores de efecto de campo sensibles a iones respecto a los MOSFETS

Descripción del Articulo

El objetivo del presente trabajo es analizar y comprobar el comportamiento de los ISFETs respecto a los MOSFETs. Para lograr lo anterior se utilizarán técnicas modernas de simulación y ensayos en laboratorio; de esta forma se podrá observar las similitudes y diferencias de comportamiento, y dependen...

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Detalles Bibliográficos
Autor: Prado Saldaña, Víctor Zacarías
Formato: tesis de grado
Fecha de Publicación:2008
Institución:Pontificia Universidad Católica del Perú
Repositorio:PUCP-Tesis
Lenguaje:español
OAI Identifier:oai:tesis.pucp.edu.pe:20.500.12404/225
Enlace del recurso:http://hdl.handle.net/20.500.12404/225
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:Biosensores
Detectores químicos
Semiconductores
SPICE (Programas para computadoras)
Transistores de efecto de campo
https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#2.02.01
Descripción
Sumario:El objetivo del presente trabajo es analizar y comprobar el comportamiento de los ISFETs respecto a los MOSFETs. Para lograr lo anterior se utilizarán técnicas modernas de simulación y ensayos en laboratorio; de esta forma se podrá observar las similitudes y diferencias de comportamiento, y dependencias entre las variaciones tales como corriente de drenador respecto a variaciones del voltaje umbral. Además, esta comprobación se realizará considerando los valores de los parámetros de fabricación que ha generado el fabricante de los ISFETs y asumiendo valores intrínsecos de este dispositivo y siempre observando lo que sucede con los MOSFETs en situaciones similares.
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