Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices

Descripción del Articulo

En el presente trabajo de investigación se ha estudiado propiedades estequiometrias, estructurales y de emisión de luz de semiconductor de amplio ancho de banda dopados con terbio. La difracción de rayos-X en ángulo rasante confirma el estado amorfo de las películas. Los espectros de absorción infra...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Montañez Huamán, Liz Margarita
Formato: tesis de maestría
Fecha de Publicación:2016
Institución:Consejo Nacional de Ciencia Tecnología e Innovación
Repositorio:CONCYTEC-Institucional
Lenguaje:inglés
OAI Identifier:oai:repositorio.concytec.gob.pe:20.500.12390/233
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Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:Temperatura
Análisis espectroquímico
Luz
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Adicionalmente, las películas analizadas han sido usado como capas activas para el diseño de dispositivos electroluminiscentes.Fondo Nacional de Desarrollo Científico y Tecnológico - FondecytengTechnische Universitat ILMENAUinfo:eu-repo/semantics/openAccesshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/TemperaturaAnálisis espectroquímico-1Luz-1https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#2.05.01-1Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devicesinfo:eu-repo/semantics/masterThesisreponame:CONCYTEC-Institucionalinstname:Consejo Nacional de Ciencia Tecnología e Innovacióninstacron:CONCYTEC#PLACEHOLDER_PARENT_METADATA_VALUE#Magíster en Ingeniería y Ciencia de los MaterialesOtras Ingenierías y TecnologíasPontificia Universidad Católica del Perú. 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Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices
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