CALCULATION OF ELECTRONIC PAGING FUNCTION Al2SiO4 TOPAZ (F, OH) 2

• Autores: Flores, Luis, Gómez, Javier, Nowak, Hans, Bustamante, Ángel
• Formato: artículo
• Fecha de Publicación: 2006
• Institución: Universidad Nacional Mayor de San Marcos
• Repositorio: Revista UNMSM - Revista Peruana de Química e Ingeniería Química
• Lenguaje: español
• OAI Identifier: oai:ojs.csi.unmsm:article/4214
• Enlace del recurso: https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/quim/article/view/4214
• Nivel de acceso: acceso abierto
• Materia: Topaz; neutron irradiation; ELF; LMTO; cenvro color; Topacio; irradiacion de neutrones; cenvro de color

By TB-LMTO-ASA method, calculation of the density of states is performed. charge density and electronic localization function topaz and its elements, with the aim of studying the links of its crystalline structure, that when subsequently irradiated with neutrons in the nucleus epiiérmicos reactor RP-1 O, defects will occur in the crystal lattice, changing its optical response. The results show that the aluminum atoms have higher mobilization probabilicfad, this is due to the weak link of the electron delocalization product
Mediante el método TB-LMTO-ASA, se realizó el cálculo de la densidad de estados. densidad de carga y la función de localización electrónica del topacio y sus elementos, con el objetivo de estudiar los enlaces de su estructura cristalina, que al ser irradiados posteriormente con neutrones epiiérmicos en el núcleo del reactor RP-1 O, se producirán defectos en la red cristalina, modificando su respuesta óptica. Los resultados muestran que los átomos de aluminio tienen mayor probabilicfad de movilización, esto se debe al enlace débil producto de la delocalización electrónica