New generation of communications systems will demand the use of low power devices in mesh configuration. This work presents a new characterization procedure for those devices in order to predict their behaviour before the implementation saving time and cost.

A new way to implement nonlinear models for microwave transistors is shown. It allows conventional drain current functions and conventional equivalent circuits to enhance their capabilities in order to predict the frequency dispersion.

Extraído de los primer párrafo del artículo: The second edition of the IEEE Microwave Theory and Techniques Society (MTT-S) Latin America Microwave Conference (LAMC) was held in Arequipa, Peru, over the second week of December 2018. It was organized by the MTT-S Peru Chapter in Arequipa, Peru (The first edition of LAMC took place 12–14 December 2016, in Puerto Vallarta, Mexico, and was a great success.) Following official approval in 2015 of LAMC as a biannual MTT-S conference, there were several strategic activities developed in Region 9, such as the creation of new MTT-S Chapters and the organization of several Distinguished Microwave Lecturers (DMLs) visits. Those activities were key to the successful organization of this conference.

En el presente trabajo se ha presentado un análisis de transistores de efecto de campo usando fuentes de voltaje pulsadas. Se han realizado medidas de microondas en dispositivos de tecnología HEMT’s y LDMOS poniendo en evidencia la diferencia entre el comportamiento estático y dinámico de dichos dispositivos. En base a las medidas se ha realizado un procesamiento de datos derivando una nueva ecuación con la capacidad de reproducir ambos tipos de comportamiento con elevada precisión y en diferentes puntos de operación. Consecuentemente el trabajo aporta un nuevo modelo basado en un circuito no lineal de cuatro terminales. La relevancia de este modelo es la capacidad de predecir los efectos físicos como la dispersión frecuencial y la movilidad electrónica del dispositivo semiconductor. Esto es importante pues la dispersión frecuencial es uno de los problemas más importantes d...