The effect of the structural disorder in the Raman scattering of the coupled plasmon - LO phonon modes was studied in doped AlxGa1-xAs/Si alloys. The asymmetry in the Raman lines allows us the observation of these modes because the translational symmetry of the crystal was destroyed. The analysis of the position and shape of their spectral lines provides information on the concentration of carriers and the effects of structural disorder of the material. We note that the effective concentration of carriers in Raman measure differs from the nominal values given by the manufacturer, which suggests possible losses in the evaporation process of the silicon or the excess of evaporation time. The results were verified by measurement of Capacitance versus Voltage for two samples.

En esta tesis se presenta un estudio por espectroscopía Raman de la calidad estructural del cristal y del comportamiento de los modos acoplados en las aleaciones AlxGa1-xAs dopadas con Silicio. Como se sabe, cuando las impurezas son introducidas en las aleaciones AlxGa1-xAs: Si pueden ser observados los modos acoplados fonón LO-plasmón. La observación de estos modos es posible porque la simetría translacional del cristal es destruida. Como consecuencia, las reglas de selección son violadas o relajadas y las líneas Raman se tornan anchas y asimétricas. El análisis de la posición y la forma de las líneas espectrales nos permite obtener información sobre la concentración de los portadores y los efectos del desorden estructural del material. Se encontró que la concentración efectiva de portadores medida en Raman difiere de la concentración nominal dada por el fabricante. Esto...