En esta tesis se presenta un estudio por espectroscopía Raman de la calidad estructural del cristal y del comportamiento de los modos acoplados en las aleaciones AlxGa1-xAs dopadas con Silicio. Como se sabe, cuando las impurezas son introducidas en las aleaciones AlxGa1-xAs: Si pueden ser observados los modos acoplados fonón LO-plasmón. La observación de estos modos es posible porque la simetría translacional del cristal es destruida. Como consecuencia, las reglas de selección son violadas o relajadas y las líneas Raman se tornan anchas y asimétricas. El análisis de la posición y la forma de las líneas espectrales nos permite obtener información sobre la concentración de los portadores y los efectos del desorden estructural del material. Se encontró que la concentración efectiva de portadores medida en Raman difiere de la concentración nominal dada por el fabricante. Esto...