Estructura electrónica y ordenamiento de bandas en el HgTe y CdTe

• Autor: Hinostroza Vargas Machuca, Cristhian David
• Formato: tesis de grado
• Fecha de Publicación: 2021
• Institución: Universidad Nacional Mayor de San Marcos
• Repositorio: UNMSM-Tesis
• Lenguaje: español
• OAI Identifier: oai:cybertesis.unmsm.edu.pe:20.500.12672/16741
• Enlace del recurso: https://hdl.handle.net/20.500.12672/16741
• Nivel de acceso: acceso abierto
• Materia: Semiconductores; https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.02

En este trabajo de investigación, se presentan las nociones básicas para entender la formación del pozo de potencial HgCdTe/HgTe/HgCdTe estudiando la inversión de bandas del HgTe originada por el intenso acoplamiento espín órbita del mercurio. Se calcularon numéricamente las estructuras de bandas del HgTe y del CdTe considerando el acoplamiento espín-órbita, y la interacción entre bandas mediante la teoría de funcionales de densidad. Se observó que el HgTe presenta una inversión de bandas en el punto de simetría Γ, con la banda de conducción siendo conformada por estados orbitales tipo p, mientras que el CdTe posee un ordenamiento normal, con la banda de conducción conformada por estados orbitales tipo s; por lo que ambos semiconductores pueden formar pozos cuánticos de tipo III, cumpliendo, además, las condiciones básicas para la existencia del estado de aislante topológico.