Band ordering and relativistic effects on HgTe and CdTe electronic structure

Descripción del Articulo

The topological materials permit transport of polarized charges through edge and surface states in 2D y 3D systems. These edge and surfaces states are protected by topological symmetry order that is based in spin-orbit coupling and in the invariance under time reversal operator.The...

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Detalles Bibliográficos
Autores: Hinostroza Vargas Machuca, Cristhian David, Rivera Riofano, Pablo Héctor
Formato: artículo
Fecha de Publicación:2021
Institución:Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Repositorio:Revistas - Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Lenguaje:español
OAI Identifier:oai:ojs.csi.unmsm:article/20448
Enlace del recurso:https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/20448
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:Semiconductors
Density functional theory
Band structure
Spin-orbit coupling
Semiconductores
Teoría de funcionales de densidad
estructura de banda
acoplamiento espín-órbita
Descripción
Sumario:The topological materials permit transport of polarized charges through edge and surface states in 2D y 3D systems. These edge and surfaces states are protected by topological symmetry order that is based in spin-orbit coupling and in the invariance under time reversal operator.The main purpose of this work is to analyze the evolution of the surface state from HgTe and CdTe alloys observing the band inversion and the effect of d atomic orbital on the band inversion and the spin-orbit coupling intensity.Results where obtained using density functional theory with a local spin density approximation and the Hubbard correction (SLDA+U) considering relativistic effects and spin polarization.
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