Muestra un estudio teórico de la estructura electrónica y de la energía total del estado fundamental de Germanio (Ge) y de los compuestos binarios de Galio-Fósforo (GaP) y de Silicio-Carbón (SiC). Las bandas de energía y la densidad de estados se calcularon con el método LMTO [23] que resuelve la ecuación de Schrödinger de un electrón en el sólido usando un potencial efectivo formulado con la DFT [15] y aproximación LDA [17]. Potencial que contiene toda la información de la red cristalina y que además depende del parámetro que permite transferir a las zonas vacías de la red cristalina una pequeña parte de la carga electrónica que reside fuera de las esferas atómicas. La mejor estructura electrónica de los compuestos de GaP y SiC con su correspondiente energía total mínima fue calculada con la idea alternativa de una red cristalina llena de esferas atómicas de tamaÃ...

El presente trabajo es un estudio teórico de la estructura electrónica del estado fundamental de la aleación cristalina de Aluminio-Arsenio. Se determinan las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) resolviendo la ecuación de Schródinger con el método de los orbitales LMTO, para lo cual se usó un potencial efectivo del solido cristalino formulado con la teoría del funcional de la densidad (DFT), que usa la aproximación LDA (Ceperley & Alder, 1980) para la energía de intercambio y de correlación. De los resultados obtenidos para la estructura electrónica (las bandas de energía y la densidad de estados), entre el máximo de la banda de valencia y el mínimo de la banda de conducción, justo en el punto F, se halló una brecha de energía prohibida de 0.214 Ry ó 2.91 eV que difiere en 6% del valor experimental de 3.09 eV reportado en la literatura (Vurgaftman, et al....