Producción de películas delgadas de materiales piezoeléctricos PZT por técnica de RF magnetrón Sputtering y caracterización ferroeléctrica y estructural
Descripción del Articulo
Se depositaron películas delgadas de Titanato Circonato de Plomo, comúnmente conocido como PZT, sobre un sustrato de TiN/Ti/Si y Si. EL sustrato TiN/Ti fue depositado primero sobre sustrato de silicio Si; se utilizó el Ti entre el TiN y Si para mayor adherencia. El primer paso fue depositar película...
Autor: | |
---|---|
Formato: | tesis de maestría |
Fecha de Publicación: | 2022 |
Institución: | Universidad Nacional de Ingeniería |
Repositorio: | UNI-Tesis |
Lenguaje: | español |
OAI Identifier: | oai:cybertesis.uni.edu.pe:20.500.14076/27701 |
Enlace del recurso: | http://hdl.handle.net/20.500.14076/27701 |
Nivel de acceso: | acceso abierto |
Materia: | Películas delgadas PZT https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.01 |
id |
UUNI_381b2d2f0e200a328dc50d5a5084223c |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:cybertesis.uni.edu.pe:20.500.14076/27701 |
network_acronym_str |
UUNI |
network_name_str |
UNI-Tesis |
repository_id_str |
1534 |
dc.title.es.fl_str_mv |
Producción de películas delgadas de materiales piezoeléctricos PZT por técnica de RF magnetrón Sputtering y caracterización ferroeléctrica y estructural |
title |
Producción de películas delgadas de materiales piezoeléctricos PZT por técnica de RF magnetrón Sputtering y caracterización ferroeléctrica y estructural |
spellingShingle |
Producción de películas delgadas de materiales piezoeléctricos PZT por técnica de RF magnetrón Sputtering y caracterización ferroeléctrica y estructural Cárdenas Achulli, Brayan Películas delgadas PZT https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.01 |
title_short |
Producción de películas delgadas de materiales piezoeléctricos PZT por técnica de RF magnetrón Sputtering y caracterización ferroeléctrica y estructural |
title_full |
Producción de películas delgadas de materiales piezoeléctricos PZT por técnica de RF magnetrón Sputtering y caracterización ferroeléctrica y estructural |
title_fullStr |
Producción de películas delgadas de materiales piezoeléctricos PZT por técnica de RF magnetrón Sputtering y caracterización ferroeléctrica y estructural |
title_full_unstemmed |
Producción de películas delgadas de materiales piezoeléctricos PZT por técnica de RF magnetrón Sputtering y caracterización ferroeléctrica y estructural |
title_sort |
Producción de películas delgadas de materiales piezoeléctricos PZT por técnica de RF magnetrón Sputtering y caracterización ferroeléctrica y estructural |
dc.creator.none.fl_str_mv |
Cárdenas Achulli, Brayan |
author |
Cárdenas Achulli, Brayan |
author_facet |
Cárdenas Achulli, Brayan |
author_role |
author |
dc.contributor.advisor.fl_str_mv |
Talledo Coronado, Arturo Fernando |
dc.contributor.author.fl_str_mv |
Cárdenas Achulli, Brayan |
dc.subject.es.fl_str_mv |
Películas delgadas PZT |
topic |
Películas delgadas PZT https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.01 |
dc.subject.ocde.es.fl_str_mv |
https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.01 |
description |
Se depositaron películas delgadas de Titanato Circonato de Plomo, comúnmente conocido como PZT, sobre un sustrato de TiN/Ti/Si y Si. EL sustrato TiN/Ti fue depositado primero sobre sustrato de silicio Si; se utilizó el Ti entre el TiN y Si para mayor adherencia. El primer paso fue depositar películas delgadas de PZT sobre el sustrato de Si y TiN/Ti/si para luego llevarlas a un tratamiento térmico. Con el fin de promover la fase perovskita se barrió un rango de temperatura en la fase de deposición entre 100-500 ℃, este proceso fue monitoreado a través de espectros de difracción de Rayos X de la muestra estudiada. Se observo que para temperaturas en el rango de 300-500℃ se tiene únicamente la fase Pyrocloro; esta fase está caracterizada por la deficiencia de oxígeno y un exceso de plomo. Para conseguir la fase del titano circonato de plomo PZT se requiere hacer un tratamiento térmico post deposición a temperaturas mayores a 600℃; este tratamiento fue llevado a cabo en un horno resistivo a medio ambiente el cual permitió obtener la fase PZT. Los experimentos mostraron que la temperatura de tratamiento térmico óptima para sintetizar películas delgadas de PZT fue de 600℃ durante tres horas. Así mismo, con el fin de optimizar las películas delgadas de PZT se hizo un análisis para diferentes condiciones de deposición como: diferentes potencias de descarga y presión de trabajo; se encontró que los valores óptimos de estos dos parámetros de deposición son 80 W y 6 sccm, respectivamente. Además, se hizo un análisis ferroeléctrico de las películas de PZT a través de una estación de tipo Sawer-Tower en el rango de frecuencias y voltajes de; 3.2 Hz-8 kHz y 5-22.5V, respectivamente. El análisis ferroeléctrico de las películas de PZT muestras curvas de histéresis característicos del PZT. |
publishDate |
2022 |
dc.date.accessioned.none.fl_str_mv |
2025-02-11T23:39:44Z |
dc.date.available.none.fl_str_mv |
2025-02-11T23:39:44Z |
dc.date.issued.fl_str_mv |
2022 |
dc.type.es.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/masterThesis |
format |
masterThesis |
dc.identifier.uri.none.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/20.500.14076/27701 |
url |
http://hdl.handle.net/20.500.14076/27701 |
dc.language.iso.es.fl_str_mv |
spa |
language |
spa |
dc.relation.ispartof.fl_str_mv |
SUNEDU |
dc.rights.es.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.rights.uri.es.fl_str_mv |
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
rights_invalid_str_mv |
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ |
dc.format.es.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.publisher.es.fl_str_mv |
Universidad Nacional de Ingeniería |
dc.publisher.country.es.fl_str_mv |
PE |
dc.source.es.fl_str_mv |
Universidad Nacional de Ingeniería Repositorio Institucional - UNI |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:UNI-Tesis instname:Universidad Nacional de Ingeniería instacron:UNI |
instname_str |
Universidad Nacional de Ingeniería |
instacron_str |
UNI |
institution |
UNI |
reponame_str |
UNI-Tesis |
collection |
UNI-Tesis |
bitstream.url.fl_str_mv |
http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/6/cardenas_ab.pdf.txt http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/7/cardenas_ab%28acta%29.pdf.txt http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/8/carta_de_autorizaci%c3%b3n.pdf.txt http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/9/informe_de_similitud.pdf.txt http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/5/license.txt http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/1/cardenas_ab.pdf http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/2/cardenas_ab%28acta%29.pdf http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/3/carta_de_autorizaci%c3%b3n.pdf http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/4/informe_de_similitud.pdf |
bitstream.checksum.fl_str_mv |
5b037d9eb7805152e2bb4d7bbfe8829d 68b329da9893e34099c7d8ad5cb9c940 68b329da9893e34099c7d8ad5cb9c940 e1c06d85ae7b8b032bef47e42e4c08f9 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 a193d01c7599a8b0af4450627d9afcaf cc21994b5a57b884632375c0d26c47d2 ee5572b152e69ea46187d667083710d4 1fd205f47726b4283bb6238c75b1909c |
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 MD5 MD5 MD5 MD5 MD5 MD5 MD5 |
repository.name.fl_str_mv |
Repositorio Institucional - UNI |
repository.mail.fl_str_mv |
repositorio@uni.edu.pe |
_version_ |
1840085830373212160 |
spelling |
Talledo Coronado, Arturo FernandoCárdenas Achulli, BrayanCárdenas Achulli, Brayan2025-02-11T23:39:44Z2025-02-11T23:39:44Z2022http://hdl.handle.net/20.500.14076/27701Se depositaron películas delgadas de Titanato Circonato de Plomo, comúnmente conocido como PZT, sobre un sustrato de TiN/Ti/Si y Si. EL sustrato TiN/Ti fue depositado primero sobre sustrato de silicio Si; se utilizó el Ti entre el TiN y Si para mayor adherencia. El primer paso fue depositar películas delgadas de PZT sobre el sustrato de Si y TiN/Ti/si para luego llevarlas a un tratamiento térmico. Con el fin de promover la fase perovskita se barrió un rango de temperatura en la fase de deposición entre 100-500 ℃, este proceso fue monitoreado a través de espectros de difracción de Rayos X de la muestra estudiada. Se observo que para temperaturas en el rango de 300-500℃ se tiene únicamente la fase Pyrocloro; esta fase está caracterizada por la deficiencia de oxígeno y un exceso de plomo. Para conseguir la fase del titano circonato de plomo PZT se requiere hacer un tratamiento térmico post deposición a temperaturas mayores a 600℃; este tratamiento fue llevado a cabo en un horno resistivo a medio ambiente el cual permitió obtener la fase PZT. Los experimentos mostraron que la temperatura de tratamiento térmico óptima para sintetizar películas delgadas de PZT fue de 600℃ durante tres horas. Así mismo, con el fin de optimizar las películas delgadas de PZT se hizo un análisis para diferentes condiciones de deposición como: diferentes potencias de descarga y presión de trabajo; se encontró que los valores óptimos de estos dos parámetros de deposición son 80 W y 6 sccm, respectivamente. Además, se hizo un análisis ferroeléctrico de las películas de PZT a través de una estación de tipo Sawer-Tower en el rango de frecuencias y voltajes de; 3.2 Hz-8 kHz y 5-22.5V, respectivamente. El análisis ferroeléctrico de las películas de PZT muestras curvas de histéresis característicos del PZT.Thin films of Lead Zirconate Titanate, commonly known as PZT, were deposited on a TiN/Ti/Si and Si substrate. The TiN/Ti substrate was first deposited on a silicon Si substrate; Ti was used between TiN and Si for greater adherence. The first step was to deposit PZT thin films on the Si and TiN/Ti/Si substrate and then heat treat them. In order to promote the perovskite phase, a temperature range was swept in the deposition phase between 100 and 500 ℃, this process was monitored through X-ray diffraction spectra of the studied sample. It was observed that for temperatures in the range of 300 and 500 ℃ there is only the pyrochloro phase; this phase is characterized by oxygen deficiency and excess lead. To achieve the PZT lead titan zirconate phase, a post-deposition heat treatment at temperatures greater than 600 ℃ was required; This treatment was carried out in a resistive furnace at ambient temperature, which allowed obtaining the PZT phase. The experiments showed that the optimum heat treatment temperature for synthesizing PZT thin films was 600℃ for three hours. Likewise, in order to optimize the PZT thin films, an analysis was made for different deposition conditions such as different discharge powers and working pressure; the optimal values of these two deposition parameters were found to be 80 W and 6 sccm, respectively. In addition, a ferroelectric analysis of the PZT films was made through a Sawer-Tower type station in the range of frequencies and voltages of 3.2 Hz and 8 kHz, and 5-22.5 V, respectively. Ferroelectric analysis of PZT films shows characteristic hysteresis curves for PZT.Submitted by Quispe Rabanal Flavio (flaviofime@hotmail.com) on 2025-02-11T23:39:44Z No. of bitstreams: 4 cardenas_ab.pdf: 4070241 bytes, checksum: a193d01c7599a8b0af4450627d9afcaf (MD5) cardenas_ab(acta).pdf: 826216 bytes, checksum: cc21994b5a57b884632375c0d26c47d2 (MD5) carta_de_autorización.pdf: 625072 bytes, checksum: ee5572b152e69ea46187d667083710d4 (MD5) informe_de_similitud.pdf: 1445820 bytes, checksum: 1fd205f47726b4283bb6238c75b1909c (MD5)Made available in DSpace on 2025-02-11T23:39:44Z (GMT). No. of bitstreams: 4 cardenas_ab.pdf: 4070241 bytes, checksum: a193d01c7599a8b0af4450627d9afcaf (MD5) cardenas_ab(acta).pdf: 826216 bytes, checksum: cc21994b5a57b884632375c0d26c47d2 (MD5) carta_de_autorización.pdf: 625072 bytes, checksum: ee5572b152e69ea46187d667083710d4 (MD5) informe_de_similitud.pdf: 1445820 bytes, checksum: 1fd205f47726b4283bb6238c75b1909c (MD5) Previous issue date: 2022Tesisapplication/pdfspaUniversidad Nacional de IngenieríaPEinfo:eu-repo/semantics/openAccesshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/Universidad Nacional de IngenieríaRepositorio Institucional - UNIreponame:UNI-Tesisinstname:Universidad Nacional de Ingenieríainstacron:UNIPelículas delgadasPZThttps://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.01Producción de películas delgadas de materiales piezoeléctricos PZT por técnica de RF magnetrón Sputtering y caracterización ferroeléctrica y estructuralinfo:eu-repo/semantics/masterThesisSUNEDUMaestro en Ciencias en FísicaUniversidad Nacional de Ingeniería. Facultad de Ciencias. Unidad de PosgradoMaestríaMaestría en Ciencias en FísicaMaestríahttps://orcid.org/0000-0002-6456-08620854553970447070https://purl.org/pe-repo/renati/type#tesishttps://purl.org/pe-repo/renati/level#maestro533017Tello Gálvez, Julio CésarOchoa Jiménez, RosendoLoro Ramírez, Héctor RaúlPujada Bermúdez, Braulio RafaelTEXTcardenas_ab.pdf.txtcardenas_ab.pdf.txtExtracted texttext/plain197232http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/6/cardenas_ab.pdf.txt5b037d9eb7805152e2bb4d7bbfe8829dMD56cardenas_ab(acta).pdf.txtcardenas_ab(acta).pdf.txtExtracted texttext/plain1http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/7/cardenas_ab%28acta%29.pdf.txt68b329da9893e34099c7d8ad5cb9c940MD57carta_de_autorización.pdf.txtcarta_de_autorización.pdf.txtExtracted texttext/plain1http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/8/carta_de_autorizaci%c3%b3n.pdf.txt68b329da9893e34099c7d8ad5cb9c940MD58informe_de_similitud.pdf.txtinforme_de_similitud.pdf.txtExtracted texttext/plain2http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/9/informe_de_similitud.pdf.txte1c06d85ae7b8b032bef47e42e4c08f9MD59LICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-81748http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/5/license.txt8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33MD55ORIGINALcardenas_ab.pdfcardenas_ab.pdfapplication/pdf4070241http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/1/cardenas_ab.pdfa193d01c7599a8b0af4450627d9afcafMD51cardenas_ab(acta).pdfcardenas_ab(acta).pdfapplication/pdf826216http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/2/cardenas_ab%28acta%29.pdfcc21994b5a57b884632375c0d26c47d2MD52carta_de_autorización.pdfcarta_de_autorización.pdfapplication/pdf625072http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/3/carta_de_autorizaci%c3%b3n.pdfee5572b152e69ea46187d667083710d4MD53informe_de_similitud.pdfinforme_de_similitud.pdfapplication/pdf1445820http://cybertesis.uni.edu.pe/bitstream/20.500.14076/27701/4/informe_de_similitud.pdf1fd205f47726b4283bb6238c75b1909cMD5420.500.14076/27701oai:cybertesis.uni.edu.pe:20.500.14076/277012025-02-12 04:22:46.267Repositorio Institucional - UNIrepositorio@uni.edu.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 |
score |
13.386169 |
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