Producción y caracterización óptica de películas delgadas amorfas de SiC y SiC:H mediante pulverización catódica de radiofrecuencia

• Autor: Montañez Huamán, Liz Margarita
• Formato: tesis de grado
• Fecha de Publicación: 2012
• Institución: Universidad Nacional Mayor de San Marcos
• Repositorio: UNMSM-Tesis
• Lenguaje: español
• OAI Identifier: oai:cybertesis.unmsm.edu.pe:20.500.12672/5005
• Enlace del recurso: https://hdl.handle.net/20.500.12672/5005
• Nivel de acceso: acceso abierto
• Materia: Películas delgadas - Propiedades ópticas; Semiconductores - Propiedades ópticas; Semiconductores - Efectos de la radiación; Semiconductores - Diseño y construcción; Silicio Propiedades eléctricas; https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.00

Presenta un estudio sistemático de las propiedades ópticas de películas delgadas de a-SiC y a-SiC:H, crecidas en una atmósfera de argón e hidrógeno con la técnica pulverización catódica de radiofrecuencia. La caracterización óptica es realizada a través de medidas espectroscópicas de transmisión UV/VIS/NIR en incidencia normal. El espesor, índice de refracción y coeficiente de absorción de las películas son calculados a partir de estos espectros de transmitancia. El ancho de banda es determinado usando diferentes modelos del coeficiente de absorción. Asimismo, se reporta la existencia del foco de Urbach de las películas estudiadas. Se han encontrado dos caminos para mejorar las propiedades ópticas de las películas: la saturación de los enlaces libres con la incorporación de hidrógeno y una temperatura óptima del tratamiento térmico a 400 °C.