Estudio del efecto del desorden químico sobre la complejidad electrónica en el modelo de Kronig-Penney

Descripción del Articulo

En el presente trabajo se evalúa la influencia del desorden químico sobre las propiedades de transporte electrónico en un modelo de sólido cristalino. Con la finalidad de incorporar el desorden de tipo químico se considera el modelo de Kronig-Penney en su representación mediante una cadena de potenc...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Heredia Guevara, Alejandro Ariel
Formato: tesis de grado
Fecha de Publicación:2021
Institución:Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Repositorio:UNMSM-Tesis
Lenguaje:español
OAI Identifier:oai:cybertesis.unmsm.edu.pe:20.500.12672/17528
Enlace del recurso:https://hdl.handle.net/20.500.12672/17528
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:Transporte electrónico
Conductividad eléctrica
Orden-desorden en aleaciones
https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.02
Descripción
Sumario:En el presente trabajo se evalúa la influencia del desorden químico sobre las propiedades de transporte electrónico en un modelo de sólido cristalino. Con la finalidad de incorporar el desorden de tipo químico se considera el modelo de Kronig-Penney en su representación mediante una cadena de potenciales de tipo delta. El desorden químico en el modelo se genera mediante la variación aleatoria de las intensidades de los potenciales sucesivos que actúan como centros de dispersión del electrón, el cual es representado mediante una combinación de ondas planas. La evaluación de los efectos del desorden sobre las propiedades de transporte electrónico se realiza mediante el flujo electrónico y la medida estadística de complejidad propuesta por Lopez-Ruiz, Mancini y Calbet. Los resultados indican que el desorden químico conlleva a la reducción de las bandas de estados permitidos y al crecimiento de los gaps de energía. A modo de referencia, se evalúan los efectos del desorden sobre un estado electrónico representativo de un sistema metálico, específicamente el correspondiente al centro de la tercera banda. Los resultados muestran una correspondencia entre la inhición del transporte electrónico y la maximización de la medida de complejidad. Esta correlación permite considerar a la medida de complejidad como un buen ´ indicador de las propiedades de transporte electrónico.
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