TRANSPORTE ELECTRÓNICO EN CUASICRISTALES

Descripción del Articulo

The temperature dependent transport coefficients are theoretically examined in different phases ofthe Al-Cu­ Fe system. In the present work we focus on the conductivity and the thermoelectric power. The spectral resistivity is modeled by means of Lorentzian functions, in agreement with our ab-initio...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Landauro, C. V.
Formato: artículo
Fecha de Publicación:2005
Institución:Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Repositorio:Revistas - Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Lenguaje:español
OAI Identifier:oai:ojs.csi.unmsm:article/8836
Enlace del recurso:https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/8836
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:Quasicrystals
Electronic Transport
ab-initio Calculations.
Cuasicristales
Transporte electrónico
Cálculos ab-initio.
Descripción
Sumario:The temperature dependent transport coefficients are theoretically examined in different phases ofthe Al-Cu­ Fe system. In the present work we focus on the conductivity and the thermoelectric power. The spectral resistivity is modeled by means of Lorentzian functions, in agreement with our ab-initio results (linear muffm-tin orbital basis and Kubo-Greenwood formula). This model considers the most important information of the ab-initio results in order to explain consistently the transport coefficients mentioned above. The numerical results shown in this work are in good agreement with the experimental ones.
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