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COMPARACION DE ESTADOS BONDING Y ANTIBONDING EN Si DIAMANTE Y FCC

Descripción del Articulo

Using the base “Augmented Spherical Waves (ASW)” calculates and discusses the amounts “Crystal Orbital Overlap Population (COOP)” and “Crystal Orbital Hamiltonian Population (COHP)” of Silicon; that they give to information on the formation of bonding and antibonding states, and therefore on the sta...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores: Flores, Luis, Nowak, Hans
Formato: artículo
Fecha de Publicación:2006
Institución:Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Repositorio:Revistas - Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Lenguaje:español
OAI Identifier:oai:ojs.csi.unmsm:article/8593
Enlace del recurso:https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/8593
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:COOP
COHP
Silicio
estado bonding
estado antibonding.
Silicon
bonding state
antibonding state.
Descripción
Sumario:Using the base “Augmented Spherical Waves (ASW)” calculates and discusses the amounts “Crystal Orbital Overlap Population (COOP)” and “Crystal Orbital Hamiltonian Population (COHP)” of Silicon; that they give to information on the formation of bonding and antibonding states, and therefore on the stability in the system. The calculation is realized on Si with diamond cells and FCC, comparing it then for his later interpretation. The calculation of these structures they indicate us a strong instability of the Si FCC, producing a strong internal stress. This instability is due to the great quantity of antibonding states in the all crystal.
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