Study of the forbidden energy region in solids with diamond structure: Application to Silicon Si
Descripción del Articulo
Forbidden power of silicon with crystal structure of diamond is determined indirectly from the electronic structure: energy bands and the density of States both in the ground state T = 0°K. Using the method of the orbital linear Muffin-Tin (LMTO) together with an effective potential of the solid Sch...
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Formato: | artículo |
Fecha de Publicación: | 2018 |
Institución: | Universidad Nacional Mayor de San Marcos |
Repositorio: | Revistas - Universidad Nacional Mayor de San Marcos |
Lenguaje: | español |
OAI Identifier: | oai:ojs.csi.unmsm:article/20232 |
Enlace del recurso: | https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/20232 |
Nivel de acceso: | acceso abierto |
Materia: | LMTO orbitals energy bands and DOS crystal lattice of diamond Orbitales LMTO bandas de energía y DOS red cristalina de diamante |
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Study of the forbidden energy region in solids with diamond structure: Application to Silicon SiEstudio de la región de energía prohibida en sólidos con estructura de diamante: Aplicación a Silicio SiCabrera, CésarLMTO orbitalsenergy bands and DOScrystal lattice of diamondOrbitales LMTObandas de energía y DOSred cristalina de diamanteForbidden power of silicon with crystal structure of diamond is determined indirectly from the electronic structure: energy bands and the density of States both in the ground state T = 0°K. Using the method of the orbital linear Muffin-Tin (LMTO) together with an effective potential of the solid Schrödinger equation was solved and obtained energy bands and the density of States. The minimum total energy -16.85 Ry per unit cell, occurs for maximum transfer of load to empty sphere on the diagonal of the Crystal network. Associated forbidden energy gap is 0.099 Ry which is equivalent to 1.35 eV, a value close to the experimental gap of 1.17 eV that already exists in the literature.La energía prohibida del silicio con estructura cristalina de diamante se determinó indirectamente a partir de la estructura electrónica: las bandas de energía y la densidad de estados DOS en el estado fundamental T = 0°K. Usando el método de los orbitales lineales Muffin-Tin (LMTO) junto con un potencial efectivo se resolvió la ecuación de Schrödinger del solido y se obtuvo las bandas de energía y la densidad de estados. La energía total mínima de -16.85 Ry por celda unitaria, ocurre para una máxima transferencia de la carga a las esferas vacías en la diagonal de la red cristalina. El gap de energía prohibida asociada es de 0.099 Ry que equivale a 1.35 eV, un valor cercano al gap experimental de 1.17 eV que ya existe en la literatura.Universidad Nacional Mayor de San Marcos2018-12-28info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionapplication/pdfhttps://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/2023210.15381/rif.v21i2.20232Revista de Investigación de Física; Vol. 21 No. 2 (2018); 1-6Revista de Investigación de Física; Vol. 21 Núm. 2 (2018); 1-61728-29771605-7724reponame:Revistas - Universidad Nacional Mayor de San Marcosinstname:Universidad Nacional Mayor de San Marcosinstacron:UNMSMspahttps://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/20232/16579Derechos de autor 2018 César Cabrerahttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0info:eu-repo/semantics/openAccessoai:ojs.csi.unmsm:article/202322021-08-16T21:33:27Z |
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Forbidden power of silicon with crystal structure of diamond is determined indirectly from the electronic structure: energy bands and the density of States both in the ground state T = 0°K. Using the method of the orbital linear Muffin-Tin (LMTO) together with an effective potential of the solid Schrödinger equation was solved and obtained energy bands and the density of States. The minimum total energy -16.85 Ry per unit cell, occurs for maximum transfer of load to empty sphere on the diagonal of the Crystal network. Associated forbidden energy gap is 0.099 Ry which is equivalent to 1.35 eV, a value close to the experimental gap of 1.17 eV that already exists in the literature. |
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Revista de Investigación de Física; Vol. 21 No. 2 (2018); 1-6 Revista de Investigación de Física; Vol. 21 Núm. 2 (2018); 1-6 1728-2977 1605-7724 reponame:Revistas - Universidad Nacional Mayor de San Marcos instname:Universidad Nacional Mayor de San Marcos instacron:UNMSM |
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