Design of a Low-Noise Amplifier for Radar Application in the 5 GHz Frequency Band

Descripción del Articulo

El propósito de este proyecto fue diseñar y fabricar un amplificador de bajo ruido (LNA) que funcione en una banda de frecuencia de 5 GHz, utilizando el transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) de Avago Technologies. Para mejorar nuestro diseño, era necesario construir un amplificador de do...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Rivera Suaña, Javier Álvaro
Formato: tesis de maestría
Fecha de Publicación:2017
Institución:Superintendencia Nacional de Educación Superior Universitaria
Repositorio:Registro Nacional de Trabajos conducentes a Grados y Títulos - RENATI
Lenguaje:inglés
OAI Identifier:oai:repositorio.sunedu.gob.pe:20.500.14366/2891
Enlace del recurso:https://hdl.handle.net/20.500.14366/2891
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:Amplificadores (Electrónica)
Líneas de transmisión por bandas
Ruido electrónico
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description El propósito de este proyecto fue diseñar y fabricar un amplificador de bajo ruido (LNA) que funcione en una banda de frecuencia de 5 GHz, utilizando el transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) de Avago Technologies. Para mejorar nuestro diseño, era necesario construir un amplificador de dos etapas; una etapa para trabajar con una sensibilidad mínima al ruido y otra etapa para obtener la ganancia máxima que puede alcanzar el transistor. Este trabajo de tesis se llevó a cabo como parte del proyecto del sistema UAV (vehículo aéreo no tripulado) desarrollado por un grupo de investigación en el departamento de comunicación por radio y electrónica de microondas, UMH.
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