Fabricación y caracterización de películas delgadas de sesquióxido de vanadio (V₂0₃) crecidas sobre sustratos de Si0₂ y Al₂0₃ para los cortes A, M, C y R.

• Autor: Castillo Cisneros, Iván Walter
• Formato: tesis de maestría
• Fecha de Publicación: 2017
• Institución: Superintendencia Nacional de Educación Superior Universitaria
• Repositorio: Registro Nacional de Trabajos conducentes a Grados y Títulos - RENATI
• Lenguaje: español
• OAI Identifier: oai:repositorio.sunedu.gob.pe:20.500.14366/1099
• Enlace del recurso: https://hdl.handle.net/20.500.14366/1099
• Nivel de acceso: acceso abierto
• Materia: Vanadio; Semiconductores; Transiciones de fase; Películas delgadas; Películas delgadas - Propiedades magnéticas; https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.00.00; https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.03

Para esta tesis se fabricaron películas delgadas de sesquióxido de vanadio (V₂0₃) por la técnica de “sputtering” con magnetrón y alimentación por corriente continua. Las películas se depositaron sobre sustratos de vidrio Si0₂ y de cristales de Al₂0₃ en cortes A, M, C y R. Las muestras depositadas sobre Al₂0₃ crecieron epitaxialmente con respecto al sustrato en los cuatro cortes. Pero las crecidas sobre vidrio no mostraron orientación cristalina preferencial. La caracterización eléctrica se hizo midiendo la resistividad versus temperatura en un rango de 40K hasta 300K. Estas curvas de caracterización permitieron identificar el cambio de fase de metalaislante para las películas crecidas en sustratos de Si0₂ y Al₂0₃ para los cortes A, M, C y R, con un aumento de la resistividad por debajo de 150K y 180K en 2 y 4 órdenes de magnitud respectivamente. El estudio de la morfología superficial para las muestras crecidas sobre sustratos de Al₂0₃ para los cortes A y R. Se encontró que la rugosidad de las muestras y el tamaño de grano es bastante distinto en estos dos casos, uno de los cuales (A) corresponde a crecimiento totalmente epitaxial mientras que el otro (R) corresponde a crecimiento epitaxial con pares cristalinos.