Diseño en CMOS de un filtro pasa-bajo con frecuencia de corte de 150Hz para la adquisición de señales del electrocardiograma

• Autor: Varela Marcelo, Fiorela Vanesa
• Formato: tesis de grado
• Fecha de Publicación: 2011
• Institución: Pontificia Universidad Católica del Perú
• Repositorio: PUCP-Tesis
• Lenguaje: español
• OAI Identifier: oai:tesis.pucp.edu.pe:20.500.12404/868
• Enlace del recurso: http://hdl.handle.net/20.500.12404/868
• Nivel de acceso: acceso abierto
• Materia: Circuitos integrados lineales--Diseño y construcción; CMOS (Electrónica); Procesamiento de señales biomédicas; https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#2.02.01

En la actualidad la electrónica está contribuyendo con la calidad de vida de los seres humanos mediante el desarrollo de equipos empleados en el diagnóstico o tratamiento de enfermedades. Un resultado de esta tendencia es la aparición de dispositivos portátiles, alimentados con baterías, que permiten la adquisición continua de señales de ECG (Electrocardiograma). La importancia de las señales ECG radica en que permiten detectar trastornos del ritmo cardíaco, de la conducción y desequilibrios electrolíticos, así como documentar el diagnóstico y evolución de los infartos del miocardio, isquemia y pericarditis; y también vigilar y evaluar efectos farmacológicos de los medicamentos sobre el corazón y la actividad de los marcapasos, entre otros. La presente tesis tuvo como objetivo el diseño de un filtro pasa-bajo en tecnología CMOS para acondicionar señales de ECG. Este acondicionamiento consiste en la eliminación de ruido de alta frecuencia y la limitación de la banda de frecuencia para evitar el efecto aliasing en la conversión analógica-digital. El circuito cumple con los requerimientos necesarios para filtrar correctamente la señal dejando pasar el rango de frecuencias que contiene la información más relevante del ECG. El filtro tiene una frecuencia de corte es 150Hz y está constituido por transconductores de 10nS que poseen un coeficiente de linealidad (®) menor a 1% en un rango de entrada de ±300mV . En esta tesis se describen todas las etapas de diseño del filtro pasa-bajo, el cual se llevó a cabo utilizando el modelo Level 1 del transistor MOSFET para los cálculos manuales y la herramienta CADENCE para la simulación eléctrica.