Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC)
Descripción del Articulo
En este trabajo se realiza el cálculo de la estructura electrónica y de la energía total para el estado fundamental del germanio y de los compuestos binarios galio-fosforo y silicio-carbón usando el método LMTO-ASA. Con la teoría del funcional de la densidad (DFT) se calcula un potencial inicial de...
| Autores: | , |
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| Formato: | artículo |
| Fecha de Publicación: | 2015 |
| Institución: | Universidad Nacional Mayor de San Marcos |
| Repositorio: | Revista UNMSM - Revista Peruana de Química e Ingeniería Química |
| Lenguaje: | español |
| OAI Identifier: | oai:ojs.csi.unmsm:article/11718 |
| Enlace del recurso: | https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/quim/article/view/11718 |
| Nivel de acceso: | acceso abierto |
| Materia: | Orbitales LMTO bandas de energía densidad de estados |
| Sumario: | En este trabajo se realiza el cálculo de la estructura electrónica y de la energía total para el estado fundamental del germanio y de los compuestos binarios galio-fosforo y silicio-carbón usando el método LMTO-ASA. Con la teoría del funcional de la densidad (DFT) se calcula un potencial inicial de interacción en la aproximación de la densidad local de spin (LDA) para el término de intercambio y correlación. Con este potencial se resuelve la ecuación de Kohn-Sham para el sistema cristalino y se obtienen las bandas de energía y la densidad de estados (DOS). |
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Nota importante:
La información contenida en este registro es de entera responsabilidad de la institución que gestiona el repositorio institucional donde esta contenido este documento o set de datos. El CONCYTEC no se hace responsable por los contenidos (publicaciones y/o datos) accesibles a través del Repositorio Nacional Digital de Ciencia, Tecnología e Innovación de Acceso Abierto (ALICIA).
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